进入2026年后，三星晶圆代工业务似乎迎来了转折点，近期在2nm制程节点的开发和客户订单谈判方面进展均颇为顺利。最新消息显示，三星的2nm GAA工艺良品率已提升至60%，距离70%的目标又近了一步。

据TrendForce报道，三星正加大对先进半导体技术的投入，目标在2030年之前完成1nm制程节点的开发工作，并于2030年实现量产，抢占下一代制程技术代工市场的主导权。与此同时，三星还计划深耕2nm制程节点，扩展不同细分工艺的阵容，以进一步争取主要客户。

在1nm制程节点上，三星预计将采用新的晶体管架构，引入“Forksheet”叉片晶体管结构。三星从3nm制程节点引入的GAA晶体管结构，将电流路径从原有的三个面扩展到四个面，最大限度地提高了功耗效率。而Forksheet则是在此基础上的演进，利用叉形片层技术在晶体管之间加入绝缘墙，从而缩小了晶体管之间的间距。通过消除未使用的空间，同一芯片面积下可以容纳更多晶体管。

去年，三星在韩国首尔举行的SAFE 2025活动上展示了第三代2nm工艺，命名为“SF2P+”。此外，针对特斯拉的AI6芯片，三星正在开发一种定制化工艺，称为“SF2T”。三星计划今年开始部署第三代2nm工艺（SF2P），明年再上线SF2P+。