中芯国际坚守28nm：低功耗与闪存工艺的新机遇
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3月27日消息，全球半导体工艺最先进的已经到了2nm节点，然而成熟工艺中的28nm依然不会被淘汰，中芯国际实际上还在打磨这代工艺，日前又报告了2款28nm工艺的进展。
根据中芯国际的2026年度“提质增效重回报”行动方案报告所说，在28nm工艺领域，公司 28nm超低漏电平台已发布新一代PDK 及配套标准单元库、存储编译器等设计工具包，目前正导入多款不同类型产品开展验证工作。
此外，28nm嵌入式闪存平台已完成关键工艺开发，实现全流程贯通，SRAM 及闪存基本功能顺利达成。
这里可以看出，中芯国际打磨的28nm工艺中，逻辑工艺有超低漏电方向的，低漏电意味着功耗会更低，目前已经发布了工具包，正在导入产品验证。
存储方向的28nm则是嵌入式闪存，已经全流程贯通，但正式发布、商用应该还需要一定时间。
在闪存工艺上，中芯国际之前的报告中提到的是38nm工艺级别，显然现在的28nm工艺核心面积会更小，密度会提升。
不过中芯国际的闪存也不会跟三星、SK海力士、美光、铠侠等公司竞争，还是传统路线的2D工艺，非3D闪存，主要用于嵌入式平台，一般消费级产品见不到。
28nm工艺自台积电2011年量产算起已经超过15年了，目前全球每年的代工市场价值依然有120亿美元左右，是非FinFET工艺中性能、成本、功耗比较均衡的一代，被称为黄金节点。
台积电虽然近年来主要靠先进工艺，但28nm营收去年依然贡献了10%左右的营收，全球份额高达70%以上，中芯国际大约占10%全球份额，在这方面发力依然是必要的。
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