3月17日消息，据韩国媒体Business korea报道，三星电子已确认正在开发第八代高带宽内存（HBM5），其底层芯片（Base die）将采用2nm工艺。对于第九代HBM5E，该公司计划提前在核心芯片上应用基于1D（第七代10纳米级）工艺的DRAM。

同时，英伟达新款人工智能（AI）推理专用芯片“Groq 3 语言处理单元（LPU）”已委托三星晶圆代工，并采用4nm工艺生产。三星晶圆代工事业部总裁兼三星晶圆代工负责人韩进万对稳定的供货充满信心，他表示：“我们的4nm工艺技术绝不逊色。”

三星电子设备解决方案（DS）事业部存储器开发执行副总裁黄相俊和总裁韩进万于当地时间3月16日在美国加利福尼亚州圣何塞举行的GTC 2026大会三星电子展位上发表了上述讲话。

△当地时间3月16日，在美国加利福尼亚州圣何塞举行的GTC 2026大会上，英伟达首席执行官黄仁勋（中）与三星电子晶圆代工事业部总裁韩进万（右）和存储器开发执行副总裁黄相俊合影留念。黄仁勋在三星代工生产Groq 3 LPU晶圆上亲笔签名并写上“GROQ SUPER FAST”，在三星HBM4晶圆上写上“AMAGING HBM4!”。这两款产品均由三星制造。

三星电子半导体部门的关键高管亲自到访英伟达主办的 GTC 展会现场，讲解产品并参与公共活动，这种情况并不常见。

首先，针对记者关于下一代 HBM 所采用的工艺技术的问题，担心电子执行副总裁黄相俊表示：“HBM5 的核心芯片采用 1c（第六代 10nm 级）工艺，但基础芯片是利用三星晶圆代工的 2nm 工艺开发的。”

该计划是在保留第六代 HBM4 引入的 1c 工艺的同时，将更先进的 2nm 工艺应用于基础芯片。

此前，三星电子抢先将领先于竞争对手的1c DRAM技术应用于HBM4核心芯片，并采用三星晶圆代工的4nm工艺制造了基础芯片。基于此，该公司稳定实现了业界领先的性能，并于上个月率先向英伟达供应了HBM4。

黄相俊表示：“对于 HBM5E，核心芯片将采用 1d 纳米工艺，而基础芯片将采用三星晶圆代工的 2nm 工艺。”他补充道：“由于器件性能将不断提升，我们将继续把最先进的工艺应用于 HBM5 和 HBM5E。”

韩进万也是自 2024 年以来首次访问 GTC，并在三星电子展位上亲自介绍了其公司的代工技术。

他特别着重解释了“Groq 3 LPU”，此前英伟达首席执行官黄仁勋在当天的 GTC 2026 主题演讲中提到“三星电子正在制造它”，这引起了人们的极大兴趣。

韩进万表示：“我们目前正在平泽工厂使用我们的 4nm 晶圆制造工艺生产 Groq 3 LPU。”他还补充道：“今年的订单量比我们预期的要多。”

他继续说道：“三星的HBM4基础芯片也是采用4nm工艺制造的，所以我认为未来对4nm工艺的需求将大幅增长。”

关于英伟达委托三星晶圆代工生产 Groq 3 LPU 的背景，韩进万表示：“早在 2024 年英伟达收购 Groq 之前，我们和 Groq 就已经开始合作了。”他补充道：“我们的工程师直接参与其中，甚至还协助了设计工作。”

他强调说：“当英伟达和 Groq 开始合作时，我们担心他们可能会使用不同的代工厂，但他们肯定评估了我们芯片的性能，并得出结论，认为它具有足够的潜力。”他补充道：“我们的 4nm 工艺绝不逊色。”

当被问及 Groq 3 LPU 何时开始贡献收益时，他回答说：“量产将于第三季度末或第四季度初开始。”他还补充道：“我们需要观察市场反应，但我相信明年对 Groq 3 LPU 的需求将真正增长。”

编辑：芯智讯-林子