三星加速研发HBM4E芯片，基础裸片或采用2nm工艺
据IT之家3月13日消息，韩国媒体Business Korea最新报道称，三星电子计划在其下一代HBM芯片中引入2纳米制程工艺。此举旨在通过将先进内存制造与半导体代工能力紧密融合，在提升技术竞争力的同时，巩固其行业领先地位。
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有行业内部人士透露，三星正在为第七代HBM（HBM4E）的基础芯片评估2纳米制程工艺的应用前景。
从技术原理来看，HBM由核心芯片和基础芯片两部分构成。核心芯片是垂直堆叠的DRAM，而基础芯片则扮演控制器的角色。在HBM3E之前的版本中，基础芯片仅负责相对基础的控制功能；但从HBM4时代开始，它需要直接处理部分计算任务，其中的逻辑电路功能得到显著加强，重要性也随之大幅提升。
为了提升HBM4的整体性能，三星电子已经与三星晶圆代工部门合作，成功生产出采用4纳米工艺的基础芯片，并结合了最先进的1c DRAM（第六代10纳米工艺），从而在竞争中领先于采用台积电12纳米工艺的SK海力士。
半导体行业预计，从HBM4E开始，面向客户定制的HBM芯片将正式登场。三星计划在年中发布标准版HBM4E，下半年则根据客户安排，为定制产品进行首次流片。
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