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三星电子Q1 DRAM价格涨幅上调至100%,时隔一月再度飙升

三星电子Q1 DRAM价格涨幅上调至100%,时隔一月再度飙升

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2026-03-04

人工智能基础设施投资热潮持续升温,全球内存市场供需失衡加剧,三星电子一季度DRAM价格涨幅最终锁定在100%以上,较一个月前的谈判结果再度上调。

4月3日,据韩国科技媒体The Elec报道,三星电子已于上月与主要客户完成一季度DRAM供货价格的最终谈判,服务器、PC及移动端通用DRAM均价较上季度上涨约100%,价格较去年四季度实现翻倍,部分客户及产品类型的涨幅甚至超过100%。

报道援引业内知情人士透露,谈判已全面收尾,部分海外客户已完成付款。此次涨幅较今年1月协商的70%水平,在短短一个月内再度扩大约30个百分点。

价格的快速攀升正在重塑内存行业的合同惯例。供货谈判周期已从传统的年度合同压缩至季度合同,如今甚至需要按月调整,折射出市场供需失衡的严峻程度。

HBM挤占产能,通用DRAM供应受限

此轮DRAM价格急涨的核心驱动力,源自人工智能基础设施投资的全球性扩张。随着数据中心运营商大规模部署AI芯片,支撑算力运行的高带宽内存需求急剧攀升。三星电子、SK海力士及美光纷纷将产能向HBM倾斜,导致面向服务器、PC及移动终端的通用DRAM供给受到明显挤压。

供给收缩的同时,需求端热度不减。AI服务器、AI+PC及AI智能手机等终端产品需求持续旺盛,供需缺口不断扩大,推动价格持续走高。据报道,部分海外科技巨头为锁定供货量,已专程赴韩与三星电子等内存厂商展开直接接洽,进一步加剧了市场紧张预期。

SK海力士与美光涨幅相近

此轮涨价并非三星电子单独行动。报道援引业内人事称,SK海力士与美光同样以相近幅度完成一季度供货合同谈判,三大内存厂商集体提价的格局已基本成型。

回溯今年1月,三星电子DRAM季度合约价涨幅约70%,NAND涨幅达100%,彼时已引发市场广泛关注。而此次DRAM涨幅进一步扩大至100%以上,表明在持续博弈过程中,需求增速持续超出供给扩张节奏,迫使价格中枢再度上移。

涨势料延续至二季度

市场对内存价格的上行预期依旧强烈。报道援引研究机构Gartner预测,今年DRAM与固态硬盘价格合计将较去年上涨约130%。英伟达上月25日交出历史最佳业绩答卷,进一步打消外界对AI泡沫的疑虑,为内存需求的持续扩张提供有力支撑。

据报道援引业内人事称,二季度DRAM与NAND价格仍将延续涨势,涨幅或有所放缓,但价格上行本身已是不可逆转的趋势。对于下游客户而言,内存采购成本的持续攀升,将进一步推高服务器及终端设备的整体成本结构。

来源:https://www.163.com/dy/article/KN70VPKK05198NMR.html
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