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ASML极紫外光刻机功率突破1000瓦,提升良率降低芯片成本

时间:2026-02-24 12:22
近期ASML宣布,已将其极紫外EUV光刻系统的光源功率从目前约600瓦提升至1000瓦。据路透社报道,该公司称,到2030年代末,这一提升有望使芯片产量增加最多50%。光源功率的提升将直接转化为更高

近期,ASML宣布已将其极紫外EUV光刻系统的光源功率从目前的约600瓦提升至1000瓦。据路透社报道,该公司表示,到2030年代末,这一技术突破有望将芯片产量提升最高达50%。光源功率的提升将直接转化为更高的生产效率。

ASML将极紫外功率提升至1000瓦 以提升良率并降低芯片成本

ASML表示,到2030年,客户每小时可处理约330片晶圆,而目前约为220片/小时,这将显著降低单颗芯片的生产成本。为实现1000瓦功率目标,ASML将锡液滴喷射速率翻倍至每秒约10万滴,并将单脉冲激发光方案升级为双脉冲整形技术。

该公司透露,未来功率还有望进一步提升至1500瓦,甚至2000瓦。ASML是全球唯一商用EUV光刻机供应商,台积电、SK海力士、英特尔等主流芯片厂商均在使用其设备。

来源:https://diy.zol.com.cn/1138/11383078.html
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