存储芯片的涨价势头正愈演愈烈。

根据最新消息，存储芯片巨头SK海力士透露，受到人工智能客户强劲需求与供应增长有限的共同推动，预计存储芯片价格将在全年持续攀升。该公司还坦言，今年没有一家客户能够完全满足其需求。

受到涨价的利好刺激，存储芯片概念股周五全线大涨，美股闪迪涨幅超过4%，美光科技涨幅超过2%；SK海力士大涨超过6%，创下历史新高。此前有报道称，三星电子正就其最新一代AI存储芯片进行定价谈判，价格较上一代产品最高上浮30%。

芯片巨头：价格将持续上涨

在最新召开的虚拟投资者会议上，SK海力士释放出强烈信号：存储芯片行业已全面进入卖方市场。

SK海力士对今年价格走势给出明确指引：受AI客户强劲需求和供应增长有限的推动，预计存储芯片价格将在全年持续上涨。

目前供需紧张程度已达到近年来的高点，SK海力士向高盛透露：“今年没有任何一家客户能够完全满足其存储需求。”

关于供给端，SK海力士指出，全行业受限于洁净室空间不足，供应增长受到物理限制。客户非常清楚，短期内存储产能无法显著增加。因此他们意识到，重复下单并不会带来更多分配量，反而只会进一步推高价格。

从库存角度看，服务器客户的库存已达到健康水平，而PC和移动客户的库存则呈现下降趋势。

更为关键的是作为供应端的SK海力士，其自身库存已极其单薄。

该公司表示：“我们在DRAM和NAND上的库存均处于正常水平，约为4周，并预计这一水平在全年将继续下降。”

另外，对于市场高度关注的HBM，SK海力士明确表示，2026年的产能分配已成定局。2026年的HBM已全部售罄，满足客户需求的生产计划已经分配完毕。

SK海力士坦言，鉴于当前的生产计划，很难在2026年对HBM和标准型DRAM的产线进行有意义的调整。

由于标准型DRAM目前供需极度紧张，这让SK海力士在谈判桌上赢得了更多筹码，定价权更为稳固。

在此背景下，SK海力士透露，“正在与主要客户讨论多年期的长期合约”。

该公司认为，这种紧张局势“可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款”。

另外，SK海力士在资本开支上仍保持清醒。

公司确认今年的资本开支将超过去年，但强调将“继续坚持资本开支纪律”。投资的优先级非常清晰：核心聚焦于HBM和标准型DRAM。对于NAND业务，虽然恢复了部分投资，但其在总资本开支中的占比将保持稳定，不会盲目扩张。

存储芯片概念股全线大涨

美东时间2月20日，美股存储概念股全线大涨，闪迪大涨4.65%，美光科技涨幅超过2%。当日亚洲交易时段，SK海力士大涨6.15%，股价再度创下历史新高；三星电子亦创出收盘历史新高。港股存储芯片概念股亦小幅走强，其中浪潮科技一度大涨超过8%，兆易创新一度涨近4%。

当天有报道称，存储芯片巨头三星电子正就其最新一代AI存储芯片的定价进行谈判，价格将较上一代高出至多30%。

盛宝银行首席投资策略师查鲁·查纳纳表示，有关三星HBM4的报道再次凸显了该行业的“定价权”，“这表明AI存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端市场重新夺回了部分定价话语权”。

市场研究公司TrendForce预测，仅2026年第一季度，DRAM、NAND闪存的价格预计就将分别上涨90%至95%、55%至60%。

谷歌DeepMind首席执行官德米斯·哈萨比斯日前在接受采访时谈到了眼下席卷全球的“内存荒”。他表示，内存芯片“整个供应链”都受限，硬件层面的挑战“正制约着大量AI部署”。

英特尔CEO陈立武近日也警告称，AI发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。他直言，内存短缺问题在2028年之前都不会缓解。

伯恩斯坦半导体行业分析师马克·李警告称，内存价格正在呈现“抛物线式”上涨。虽然这将为三星电子、美光科技和SK海力士带来丰厚利润，但电子行业的其他领域将在未来数月付出沉重代价。

Counterpoint Research表示，内存成本上涨可能导致低端设备在经济上对电子公司而言难以为继。随着利润率的下降，一些低价智能手机可能会彻底退出市场。

责编：杨喻程

排版：汪云鹏

校对：姚远