2026年2月20日，全球三大存储芯片制造商三星、SK海力士与美光正加速推进新一轮产能扩张，以应对当前半导体行业所处的"超级周期"。

其中，美光公布的资本开支规模最为引人注目。该公司计划在未来数年内投入约2000亿美元，在美国爱达荷州博伊西建设一座占地450英亩的先进制造园区。该园区将配备全美面积最大的洁净室，并同步建设两座晶圆厂。按照洁净室总面积约60万平方英尺测算，博伊西工厂满产后月产能预计可达15万至20万片晶圆，有望推动美光全球总产量提升四成。与此同时，美光还宣布将在纽约州投资约1000亿美元，规划建设四个洁净室设施。

SK海力士位于韩国龙仁的半导体产业集群项目总投资额达850亿美元。原定于今年5月启动试产的首座晶圆厂，现已提前至2026年2月或3月开始试运行。

三星也加快了平泽P4工厂的建设节奏，将原计划于2027年第一季度竣工的时间节点，提前至2026年第四季度。该工厂投产后，预计可实现每月10万至12万片晶圆的产能。

值得注意的是，本轮扩产主要由人工智能产业对高性能存储芯片的强劲需求所驱动。原本广泛应用于智能手机等消费电子产品的LPDDR内存标准，如今已被英伟达等厂商大量采用在其机架级AI系统中。同时，智能体AI技术对内存带宽提出更高要求，进一步促使厂商将产能优先投向高带宽内存及SOCAMM模块等高端产品。因此，新增产能将集中服务于AI基础设施建设，短期内消费级市场内存供应偏紧的局面仍将持续。