面对全球存储器供应持续紧张的态势，韩国两大半导体企业正加速推进产能建设。SK海力士决定将龙仁第一晶圆厂的投产时间大幅提前，从原计划的2027年5月调整为2027年2月至3月启动试运行；三星电子也宣布，将其平泽P4工厂的投产计划从2027年第一季度提前至2026年第四季度。

最新统计数据显示，截至2026年2月，三星与SK海力士面向主要客户的存储器芯片交付率约为60%，较2025年第四季度进一步下滑，反映出供需矛盾持续加剧。业内普遍预计，当前供应短缺局面将延续至2027年。据专业机构测算，2026年DRAM与NAND闪存的全球供给增速分别为17.5%和16.5%，而需求增速则达到20.1%和21.4%，供需失衡状况仍在扩大。

在高带宽存储器领域，价格调整趋势尤为明显。市场消息称，三星即将推出的HBM4产品报价约为700美元，SK海力士预计也将采用相近定价。该价格较当前主流的HBM3E提升约20%至30%，较2025年8月SK海力士向英伟达供应的HBM4批次（报价约550美元）上涨近30%。

在量价双重推动下，两家韩国企业2026年第一季度营业利润有望攀升至3万亿韩元。

与此同时，美国存储器制造商美光科技也在加速扩充产能，近期正式宣布将在新加坡投资240亿美元，用于扩建晶圆制造设施，以增强全球供应能力，应对持续加剧的市场需求压力。