印度实现2纳米芯片设计流片，半导体自主关键突破
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2026年2月13日，印度正加速推进工业化与技术自主进程，重点布局智能手机制造、新能源汽车及半导体产业，力图缩小与领先国家在关键科技领域的差距。
此前，印度提出建设全球半导体设计与制造中心的长期目标。近期，这一战略取得阶段性成果：由印度本土团队主导完成的2纳米工艺节点芯片设计已成功实现流片。
高通技术公司确认，其位于印度的研发团队完成了首款2纳米芯片的设计与流片工作，标志着印度在先进制程芯片设计能力方面取得实质性突破。
据高通介绍，这一成果依托于其在班加罗尔、钦奈和海得拉巴三地研发中心的协同攻关。这些机构共同构成了高通在美国以外规模最大、技术能力最全面的海外工程体系之一。在系统级设计的多个关键环节——包括芯片架构定义、物理实现、软件平台开发及终端应用场景优化等方面，印度研发团队均发挥了核心作用。
高通工程高级副总裁沙希雷迪表示，印度团队已深度融入公司全球技术演进链条，其贡献覆盖从底层硬件到上层软件的全栈设计流程。
印度相关主管部门指出，在日益成熟的芯片设计生态支撑下，叠加产业界持续投入，国家半导体发展计划正按既定路径稳步推进。强化高端工程人才储备与研发基础设施建设，是夯实本土半导体产业根基、实现长期产能自主的关键所在。
尽管此次进展引发广泛关注，但业内普遍认为，设计能力的提升仅是半导体全链条中的重要一环。要真正建成具备国际竞争力的半导体产业体系，印度仍需在制造工艺、设备材料、封测能力及产业协同等多个维度持续积累与突破。
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