
2026年2月12日,SK海力士正式揭晓了其新一代LPDDR6内存模块的详细技术规格。这款产品采用业界领先的1纳米级DRAM制造工艺,单颗容量达到16Gb,数据传输速率高达每秒14.4Gb,不仅符合当前JEDEC标准对LPDDR6定义的速率上限,更成为公开资料中性能表现最为突出的LPDDR6内存解决方案。
该内存专为终端侧人工智能应用场景深度优化,在数据吞吐能力与能效比方面均较上一代产品实现显著提升,完美兼顾高性能与低功耗的双重需求。
与此同时,三星也在加速推进LPDDR6技术的落地进程。此前该公司已推出基于12纳米工艺、传输速率为每秒10.7Gb的首代LPDDR6产品;现阶段正积极推进第二代版本研发,目标速率提升至每秒12.8Gb,单颗容量同样为16Gb。受限于相对成熟的制程节点,其芯片面积略大于SK海力士同规格产品。三星持续开展工艺与架构优化,计划将最终速率提升至每秒14Gb,届时与SK海力士当前产品性能将基本持平。
