2026-2027年全球存储市场面临十五年来最严重缺货，DRAM、NAND与HBM全线告急
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2026年2月10日，一份最新行业分析报告指出，2026至2027年间，全球存储器市场将面临近十五年来最为严峻的供应紧张局面，DRAM、NAND及高带宽内存HBM三大核心品类均出现显著供需失衡。
在DRAM领域，2026年供需缺口预计达4.9%，2027年为2.5%，较此前预测分别上调1.6和1.4个百分点。其中2026年的短缺程度将达到2011年以来最严重水平。推动这一趋势的核心因素是服务器市场对内存需求的迅猛扩张。报告将2026年和2027年服务器用标准DRAM（不含HBM）需求增长率分别上调至39%和22%，增幅达6%和10%。若将HBM纳入统计，服务器相关DRAM需求占全球总需求的比例将升至53%和57%。
NAND市场同样承压。2026年和2027年供需缺口预计为4.2%和2.1%，构成NAND产业有记录以来最严重的短缺之一。企业级固态硬盘成为主要拉动力量，其需求预期被大幅上调，2026年和2027年增长率分别达58%和23%，占全球NAND总需求比重将提升至36%和39%。相比之下，移动终端与个人电脑领域的NAND需求持续疲软，2026年两者均预计零增长，创下历史最低水平。
作为人工智能算力基础设施的关键组件，HBM市场呈现高度供不应求状态。尽管主要厂商正全力扩产，但产能释放节奏仍滞后于GPU及专用AI芯片的爆发式增长。2026年与2027年HBM供需缺口预计维持在5.1%和4.0%的高位，其全球市场规模已上调至2027年的750亿美元。
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