2月10日，行业分析机构SemiAnalysis发布报告指出，随着高带宽内存市场竞争加剧，三星与SK海力士或将主导下一代HBM市场格局，而美光因技术路线问题，很可能错失英伟达下一代Rubin芯片的HBM4订单，其份额或归零。

这份报告进一步透露，美光在英伟达Rubin平台上的HBM4供应份额已基本归零。预计SK海力士将拿下约七成的订单，剩余三成则由三星包揽，这意味着韩国厂商几乎垄断了这片高端市场。

分析认为，美光此次失利的关键在于其技术路线选择。据悉，为控制成本并掌握供应链，美光坚持自主设计与制造HBM4的基础裸片。然而，这一策略带来了挑战。

不同于选择与台积电紧密合作的SK海力士，也不同于拥有自身先进逻辑代工能力的三星，美光“单打独斗”的策略导致了严重的散热问题，且接口速率未能达到客户要求的标准。由于不愿转向更先进的外部制程节点，美光在关键性能指标上已被竞争对手拉开了差距。

除了技术瓶颈，时间窗口的错失也造成了不利局面。目前英伟达的Vera Rubin芯片已进入全速生产阶段，这意味着供应链名单已基本锁定。

尽管美光计划重新设计基础裸片并优化供电网络后，于2026年第二季度再次向英伟达提交资格测试，但这显然已错过了最佳时机。

相比之下，三星率先达到了英伟达对HBM4接口速率的要求，成功从HBM3时代的延迟阴影中走出，预计将获得20%至30%的市场份额。