联发科拟采用英特尔14A工艺：天玑芯片合作热管理挑战解析
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近日，业内有消息传出，联发科天玑系列芯片的制造将交由英特尔负责，这一举动引发了半导体行业的广泛关注。
继苹果初步确定采用英特尔18A工艺之后，英特尔再一次拓展了其高端客户版图，有望迎来一位新的战略合作伙伴——联发科。据预测，联发科计划在其下一代移动芯片中导入英特尔14A制程工艺。
此前有消息显示，苹果计划将英特尔18A-P工艺应用于入门级M系列芯片，该产品最快将于2027年投入量产。此外，苹果计划于2028年推出的定制化专用集成电路，也将采用英特尔的EMIB先进封装技术。目前双方已签署保密协议，苹果也获得了18A-P工艺的设计套件样本，正在开展技术评估工作。
值得注意的是，英特尔18A-P是其首个支持Foveros Direct 3D混合键合技术的制程节点。这项技术能够通过硅通孔实现多颗芯片粒的垂直堆叠，从而显著提升芯片的集成密度与互联带宽。
有消息称，联发科已成为英特尔14A工艺的潜在客户。然而，将这一先进制程应用于智能手机SoC并非简单的迁移。英特尔在18A与14A节点上全面转向背面供电架构，虽然有助于提升能效与性能上限，但同时也带来了更为突出的局部热密度问题。
受限于手机内部极为紧凑的空间布局，此类自发热效应对移动平台芯片构成了严峻考验，可能需要配合强化的散热方案，才能保障其长期稳定运行。如果双方能够在热管理、功耗控制及系统协同等关键环节取得突破，联发科与英特尔之间的合作或将迈向更深层次。
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