行业消息显示，三星近期已完成新一代高性能内存HBM4的最终资格测试。这款产品预计将在农历新年后开始发货，三星将成为全球首家实现HBM4大规模量产与供货的存储芯片制造商。此次的HBM4供应将主要用于英伟达下一代计算平台“Vera Rubin”。
市场格局生变：三星与SK海力士竞争加剧
在上一代HBM3和HBM3E产品阶段，SK海力士在英伟达供应链中占据着主导地位。而在此次HBM4的竞争中，三星在技术与量产进度上的表现则更为积极，已提前通过客户认证测试，生产安排也更为从容。据悉，英伟达已于2025年末确定了HBM4订单。三星预计将获得约20%的初始份额，SK海力士约为50%，美光则获得剩余份额。
技术优势推动三星竞争力提升
三星本次推出的HBM4样品在规格上处于行业领先水平。其DRAM芯片采用第六代10nm级别工艺（1cnm）制造，相比竞争对手领先一代。同时，三星还结合了自有4nm工艺生产的基础裸片（Base Die）。相比SK海力士依赖台积电代工的模式，三星在生产灵活性与成本控制方面更具优势。
供应链调整与订单转移预期
虽然目前SK海力士凭借过往的产能与供应记录，仍获得了英伟达较多的订单，但HBM生产周期长达六周，产能需要提前规划。近期有业内消息指出，美光在HBM4供应方面可能面临挑战，英伟达或将考虑把原计划给美光的部分订单转移至三星。这或将使三星的份额从20%提升至30%，从而进一步缩小与SK海力士的差距。
随着HBM4正式进入量产与供货阶段，全球高端存储市场的竞争格局或将迎来重塑。
