根据IT之家2月9日消息，市场研究机构Counterpoint Research在2月2日发布的《2月内存价格追踪报告》中指出，在尚未结束的2026年第一季度，存储半导体产品价格相比2025年第四季度已大幅上涨超过90%。其中，主流DRAM、HBM以及NAND闪存的价格均创下历史新高，整个存储半导体行业正经历一场前所未有的暴涨行情。

本轮价格上涨的主要推手，是通用服务器DRAM价格的大幅攀升。以64GB RDIMM为例，其价格已从450美元飙升至900美元，并且有望在2026年第二季度突破1000美元关口。此外，在2025年第四季度表现相对平稳的NAND闪存，也在今年第一季度同步上涨了80%至90%。加之部分HBM3e产品价格持续走高，市场呈现出全品类、全板块加速普涨的态势。

面对成本压力，智能手机制造商正采取行动，例如削减设备中的DRAM容量，或转而采用更具性价比的QLC方案来替代原有的TLC。与此同时，目前供应紧张的LPDDR4订单量已明显下滑，而支持最新DRAM标准的全新入门级芯片陆续推出，正持续带动LPDDR5订单增长。

为应对这一市场变化，各大OEM厂商正在减少单款设备的标配内存容量，或优先推出搭载LPDDR5（IT之家注：此类产品受价格上涨影响相对较小）的高端产品线。

针对此轮行情，Counterpoint Research高级分析师Jeongku Choi表示：

对设备制造商而言，这无疑是双重打击——零部件成本上涨与消费者购买力减弱同时发生。随着本季度持续推进，市场需求很可能趋于放缓。这就要求OEM厂商必须调整采购策略，要么聚焦于高端机型，通过为消费者提供更多附加价值来支撑更高的产品定价。预计存储器行业的盈利水平将达到前所未有的高度。2025年第四季度，DRAM营业利润率已达60%区间，这是通用DRAM利润率首次超越HBM。而2026年第一季度，DRAM利润率预计将首次突破历史峰值。尽管如此，这一高利润率水平要么成为新的常态，要么则形成了一个极高的基准——当前市场看似稳固，但一旦进入下一轮下行周期（若发生），市场表现可能会变得更加严峻。