长鑫存储低价策略冲击全球DRAM市场，国产双雄扩产重塑格局
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正当全球内存价格一路上扬之际，国内DRAM龙头企业长鑫存储近日抛出一记重磅消息：针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组，报出138美元的价格。这个数字仅相当于当前国际市场主流成交价区间（300至400美元）的三分之一左右。消息一出，迅速在全球存储芯片市场引发了剧烈震荡。
这一举动在业内激起强烈反响，部分投资者开始担忧，行业可能重新陷入激烈的价格战，导致厂商盈利空间承压。此前连续三日小幅回升的内存相关板块也应声转弱，当日整体走低。
这其中，DRAM领域的两家重要厂商华邦电与南亚科跌幅最为显著，分别下挫9.05%和5.61%。此外，群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等企业的股价也普遍下跌超过半根停板，市场情绪趋于谨慎。
此番波动折射出全球存储芯片市场正经历深层次的结构性调整。随着人工智能运算需求持续爆发，行业已步入新一轮景气周期。自2025年底起，各类存储产品价格明显上扬，甚至对多款电子终端设备2026年的量产节奏造成了影响。
值此机遇期，以长鑫存储、长江存储为代表的本土存储制造企业正加快产能布局与技术拓展。长鑫存储明确表示将加速推进上海新厂区建设，其规划产能规模将达到合肥总部的两至三倍，重点覆盖服务器、个人电脑及车载电子等领域的DRAM产品需求。按进度安排，设备安装预计于2026年下半年启动，2027年正式投产，届时将大幅提升其在全球DRAM供应体系中的份额。
与此同时，国内NAND Flash领军企业长江存储也在同步提速扩产进程。其武汉三期项目原定于2027年实现量产的目标，有望提前至2026年下半年启动。更值得关注的是，长江存储计划将新建产线约一半的产能转向DRAM产品，由此开启NAND与DRAM双轨并行的发展路径，进一步强化中国存储产业链的完整性与协同性。
业内观察人士指出，当前全球内存供给仍处于紧张状态，这一局面为具备制造能力的新进入者提供了宝贵的时间窗口。叠加国内产业政策的持续支持，越来越多的终端客户开始主动寻求多元化供应渠道。这不仅为本土存储企业带来了实质性的增长支撑，也将逐步重塑全球存储芯片市场的竞争格局。
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