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长鑫存储低价策略冲击全球DRAM市场,国产双雄扩产重塑格局

时间:2026-02-05 09:19
在全球内存价格持续攀升的背景下,中国DRAM龙头企业长鑫存储近期宣布针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组推出138美元的报价。该价格约为当前国际市场300至400美元主流成交区间的三分之

长鑫存储低价冲击全球DRAM市场,中国存储双雄加速扩产重塑格局

正当全球内存价格一路上扬之际,国内DRAM龙头企业长鑫存储近日抛出一记重磅消息:针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组,报出138美元的价格。这个数字仅相当于当前国际市场主流成交价区间(300至400美元)的三分之一左右。消息一出,迅速在全球存储芯片市场引发了剧烈震荡。

这一举动在业内激起强烈反响,部分投资者开始担忧,行业可能重新陷入激烈的价格战,导致厂商盈利空间承压。此前连续三日小幅回升的内存相关板块也应声转弱,当日整体走低。

这其中,DRAM领域的两家重要厂商华邦电与南亚科跌幅最为显著,分别下挫9.05%和5.61%。此外,群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等企业的股价也普遍下跌超过半根停板,市场情绪趋于谨慎。

此番波动折射出全球存储芯片市场正经历深层次的结构性调整。随着人工智能运算需求持续爆发,行业已步入新一轮景气周期。自2025年底起,各类存储产品价格明显上扬,甚至对多款电子终端设备2026年的量产节奏造成了影响。

值此机遇期,以长鑫存储、长江存储为代表的本土存储制造企业正加快产能布局与技术拓展。长鑫存储明确表示将加速推进上海新厂区建设,其规划产能规模将达到合肥总部的两至三倍,重点覆盖服务器、个人电脑及车载电子等领域的DRAM产品需求。按进度安排,设备安装预计于2026年下半年启动,2027年正式投产,届时将大幅提升其在全球DRAM供应体系中的份额。

与此同时,国内NAND Flash领军企业长江存储也在同步提速扩产进程。其武汉三期项目原定于2027年实现量产的目标,有望提前至2026年下半年启动。更值得关注的是,长江存储计划将新建产线约一半的产能转向DRAM产品,由此开启NAND与DRAM双轨并行的发展路径,进一步强化中国存储产业链的完整性与协同性。

业内观察人士指出,当前全球内存供给仍处于紧张状态,这一局面为具备制造能力的新进入者提供了宝贵的时间窗口。叠加国内产业政策的持续支持,越来越多的终端客户开始主动寻求多元化供应渠道。这不仅为本土存储企业带来了实质性的增长支撑,也将逐步重塑全球存储芯片市场的竞争格局。

来源:https://dt.zol.com.cn/1130/11302335.html
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