韩国学者:HBF闪存2027商用 十年内性能超越HBM

在首尔举行的高带宽闪存(HBF)技术战略研讨会上,韩国科学技术院的金正浩教授发表观点,预测即将在2027年实现商业化的高带宽闪存,将在约十年后,其全球市场规模超越当前人工智能半导体的核心组件——高带宽内存(HBM)。
他的分析指出,随着人工智能系统在思维与推理能力方面持续深化,以及人机交互界面加速从文本向语音演进,数据生成与调用规模将呈现指数级增长。在此背景下,计算范式的重心正发生根本性转移:如果说个人计算机时代以中央处理器(CPU)为枢纽,移动智能终端时代以能效比为核心,那么人工智能时代的核心则已转向内存——“HBM决定运算速度,HBF决定存储容量”。
HBF通过垂直堆叠传统上用于长期数据保存的NAND闪存单元,大幅拓展存储密度,其三维集成方式与HBM高度相似。随着AI智能服务日益普及,作为系统长期记忆载体的键值(KV)缓存功能愈发关键。过去主要由HBM承担的高频次、小规模数据暂存任务,正逐步延伸至具备更大容量优势的NAND型内存架构中。
会上,金正浩展示了基于HBF的新型异构内存系统设计:在GPU两侧分别配置4组HBM与4组HBF,形成合计96GB高速缓存与2TB大容量存储的协同结构。他将其形象概括为“HBM是书架,HBF是图书馆”——前者支持毫秒级即时调取,后者则承载海量信息的整体归集与长效保存。
他判断,仅依靠HBM已难以支撑未来AI工作负载对存储带宽与容量的双重跃升需求,行业采用HBF将成为必然路径。当内存中心计算(MCC)架构趋于成熟,即CPU、GPU与内存以单芯片形式深度集成时,HBF的部署比例将进一步扩大,并预计自2038年起,其全球出货量与应用规模将全面超越HBM。
目前,多家国际头部企业正积极推进HBF研发进程。金正浩认为,韩国企业在该领域具备显著综合优势:一方面,三星电子与SK海力士同时掌握HBM先进制程及高精度封装技术;另一方面,二者亦深耕NAND闪存多年,可实现技术路径的自然延伸。相比之下,部分专注单一存储类型的厂商在系统整合能力上存在局限。
他强调,HBF有望成为未来十至二十年人工智能基础设施升级的核心支点,而韩国有望借此确立在全球AI计算体系中的引领地位。据悉,SK海力士已将2027年量产目标列为当前研发重点。
金正浩指出,HBF与现有HBM在制造工艺层面具有高度兼容性,技术落地的关键将取决于量产节奏与生态适配速度。真正决定其商业化成败的,是率先将其嵌入实际AI服务场景的能力。继HBM之后,韩国内存产业必须在HBF这一新赛道上抢占先机,确保在以内存为中枢的人工智能新时代中持续发挥关键影响力。
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