在首尔举行的高带宽闪存（HBF）技术战略研讨会上，韩国科学技术院的金正浩教授发表观点，预测即将在2027年实现商业化的高带宽闪存，将在约十年后，其全球市场规模超越当前人工智能半导体的核心组件——高带宽内存（HBM）。
他的分析指出，随着人工智能系统在思维与推理能力方面持续深化，以及人机交互界面加速从文本向语音演进，数据生成与调用规模将呈现指数级增长。在此背景下，计算范式的重心正发生根本性转移：如果说个人计算机时代以中央处理器（CPU）为枢纽，移动智能终端时代以能效比为核心，那么人工智能时代的核心则已转向内存——“HBM决定运算速度，HBF决定存储容量”。
HBF通过垂直堆叠传统上用于长期数据保存的NAND闪存单元，大幅拓展存储密度，其三维集成方式与HBM高度相似。随着AI智能服务日益普及，作为系统长期记忆载体的键值（KV）缓存功能愈发关键。过去主要由HBM承担的高频次、小规模数据暂存任务，正逐步延伸至具备更大容量优势的NAND型内存架构中。
会上，金正浩展示了基于HBF的新型异构内存系统设计：在GPU两侧分别配置4组HBM与4组HBF，形成合计96GB高速缓存与2TB大容量存储的协同结构。他将其形象概括为“HBM是书架，HBF是图书馆”——前者支持毫秒级即时调取，后者则承载海量信息的整体归集与长效保存。
他判断，仅依靠HBM已难以支撑未来AI工作负载对存储带宽与容量的双重跃升需求，行业采用HBF将成为必然路径。当内存中心计算（MCC）架构趋于成熟，即CPU、GPU与内存以单芯片形式深度集成时，HBF的部署比例将进一步扩大，并预计自2038年起，其全球出货量与应用规模将全面超越HBM。
目前，多家国际头部企业正积极推进HBF研发进程。金正浩认为，韩国企业在该领域具备显著综合优势：一方面，三星电子与SK海力士同时掌握HBM先进制程及高精度封装技术；另一方面，二者亦深耕NAND闪存多年，可实现技术路径的自然延伸。相比之下，部分专注单一存储类型的厂商在系统整合能力上存在局限。
他强调，HBF有望成为未来十至二十年人工智能基础设施升级的核心支点，而韩国有望借此确立在全球AI计算体系中的引领地位。据悉，SK海力士已将2027年量产目标列为当前研发重点。
金正浩指出，HBF与现有HBM在制造工艺层面具有高度兼容性，技术落地的关键将取决于量产节奏与生态适配速度。真正决定其商业化成败的，是率先将其嵌入实际AI服务场景的能力。继HBM之后，韩国内存产业必须在HBF这一新赛道上抢占先机，确保在以内存为中枢的人工智能新时代中持续发挥关键影响力。
