2月4日消息，在人工智能基础设施建设热潮持续推高DRAM需求、全球内存供应链瓶颈问题依然突出的背景下，英特尔正计划重返阔别四十年的DRAM内存市场。
据了解，英特尔将与软银旗下子公司Saimemory达成深度合作，共同开发名为ZAM（Z-angle memory，Z角内存）的下一代内存新技术。该技术单芯片最高容量可达512GB，功耗较当前主流的HBM内存降低40%至50%，有望重塑AI时代全球内存市场的竞争格局。
当前，全球AI大模型训练、超大规模数据中心计算等场景，正推动算力需求呈指数级攀升。高速内存已成为AI硬件体系的核心支撑，其性能与能效直接制约着计算效率。
ZAM内存技术的核心竞争力源于其创新性的架构设计。与传统内存的垂直布线模式不同，该技术采用交错互连拓扑结构，通过对角线“Z字形”布线优化芯片堆叠布局，并配合铜-铜混合键合技术实现层间高效融合，最终形成类似单片芯片的一体化硅片结构。
与此同时，ZAM技术采用无电容设计，并通过英特尔成熟的EMIB（嵌入式多芯片互连桥接）技术实现与AI芯片的高速高效连接。这一设计不仅简化了制造工艺流程，还能有效提升存储密度、降低芯片热阻。
相较于当前AI领域主流的HBM内存，ZAM技术的优势十分突出。其单芯片最高容量可达512GB，大幅超越当前主流HBM产品。功耗降低40%-50%，有望精准解决数据中心能耗高企的行业痛点。而Z形互连设计更能简化制造流程，为后续规模化量产奠定坚实基础。
值得一提的是，这并非英特尔首次涉足DRAM领域。更早年间，英特尔曾是DRAM市场的重要参与者，但因日本厂商的激烈竞争冲击，市场份额持续下滑，最终于1985年退出该赛道。
如今，AI产业的爆发为内存技术带来了全新发展机遇。英特尔凭借自身在先进封装、芯片堆叠领域的深厚技术积累，计划借助ZAM技术重夺内存市场话语权。
不过，其最终能否成功突围，关键在于能否说服英伟达等行业领军企业采用该技术，从而打破现有市场格局。
