2月4日传来消息，在全球内存价格持续上涨的背景下，中国DRAM龙头厂商长鑫存储释放的一则低价策略信号，让本已暗流涌动的存储器市场顿时硝烟弥漫，空头力量与市场情绪陷入激烈交锋。
据报道，长鑫存储针对32GB DDR4-3200 ECC内存模组，报出了138美元的“击穿底价”。这一价格仅为当前国际市场主流行情300至400美元的三分之一左右，瞬间在全球市场引发震动。
此次低价举措直接点燃了市场的恐慌情绪。投资者普遍担忧，存储芯片产业恐将再次陷入惨烈的价格战。此前在3日早盘一度显露回暖迹象的内存板块个股，随即应声下跌，承受重压。
其中，DRAM领域的“双雄”——华邦电与南亚科首当其冲，当日股价分别暴跌9.05%与5.61%。此外，包括群联、品安、晶豪科、至上、威刚、宇瞻及华东等在内的相关个股普遍下挫，跌幅均超过半根停板，市场恐慌氛围浓厚。
此番市场剧烈波动的背后，映射出全球存储器市场结构性变化的深层暗流。随着AI运算需求呈现爆发式增长，全球存储器市场已迈入新一轮超级周期。早在2025年底，相关产品售价便已大幅上涨，其影响之深甚至打乱了下游多家电子厂商2026年的生产布局规划。
在此背景下，长鑫存储、长江存储等中国存储大厂正加速战略布局，力图抓住市场格局重塑中的宝贵机遇。
扩产动作尤为迅猛的长鑫存储，已决定加速扩建其上海厂区。根据规划，该厂区规模将达到合肥总部的2到3倍，生产重心将聚焦于服务器、个人电脑及汽车电子领域所需的DRAM产品。
按照时间表，上海厂区的设备装机预计将于2026年下半年启动，并于2027年正式进入投产阶段。投产后，将显著提升长鑫存储在全球DRAM市场的供给能力。
中国NAND Flash大厂长江存储亦在同步发力。其位于武汉的三期项目原定2027年达成的量产目标，有望提前至2026年下半年启动。更值得关注的是，长江存储计划调整发展战略，将新厂区约50%的产能转向DRAM产品生产。这标志着公司正式开启NAND与DRAM双领域并行发展的新模式，进一步补全中国存储产业的产品版图。
针对中国存储厂商的崛起及市场格局的潜在变化，Yole Group亚洲区主管Gary Huang分析指出，当前全球内存供应持续紧张，这一市场环境为新兴业者创造了有利的发展契机。
加之来自中国本土的政策支持，正推动更多客户主动寻找具备替代能力的供应商。这不仅为长鑫存储、长江存储等中国厂商注入了新的成长动能，也必将深刻影响全球存储器市场的未来竞争格局。
