从2025年开始，全球内存市场就踏入了价格显著飙升的快车道，远超常规市场波动。各类存储芯片的涨幅早已突破行业年初的普遍预期。摩根士丹利的研究报告透露，2026年的内存价格正在加速攀升。以第一季度为例，DRAM合约价的环比增幅预计将达到40%至70%，而NAND闪存的合约价也将上涨30%到35%——这两项预测均大幅超过了此前市场的共识。

成本端这轮剧烈的波动，已经实质性地挤压了手机产业的研发空间。据一位资深的芯片行业分析师透露，自2025年9月内存价格启动上行周期以来，众多手机厂商的中低端产品线受到严重冲击，大量新机型的开发计划被迫取消或暂缓立项。

上游芯片制造环节也随之调整策略。多家主要供应商已经决定缩减2026年的晶圆投片规模，以应对下游需求收缩的现实局面。

高盛分析师进一步指出，存储芯片价格的持续飙升，正带动整机硬件成本大幅上扬。这使得2026年智能手机市场原本预期的复苏势头难以为继。该机构已将全年全球智能手机出货量预测下调了6%，最新的预估值为11.9亿部。这意味着，2026年全球智能手机市场将结束此前连续两年的低位企稳态势，转而出现同比6%的负增长。