2月3日消息，据媒体报道，三星电子与SK海力士宣布将全面启动在尖端NAND闪存领域的投资计划。

此前，由于公司资源长期优先投入DRAM内存业务，这项针对NAND的扩张计划曾一再推迟。随着人工智能产业崛起带动存储芯片需求快速增长，两家公司近期已敲定了具体的扩产方案。

业内人士透露，三星与SK海力士都计划在今年第二季度推进对最先进NAND技术的“转换投资”。

三星已于2024年9月启动280层第九代V9 NAND的量产，但当前产能规模仍然有限，每月产能仅约1.5万片晶圆。此前出于市场需求考量，三星仅在平泽园区部署了初步的量产线。

接下来，三星拟从今年第二季度起扩大V9产能，重点将放在中国西安的X2生产线。目前该产线仍主要生产第6至第7代旧制程NAND，而邻近的X1产线向第8代NAND的转换已基本完成。

据悉，当前业内讨论的转换投资规模约为每月4至5万片晶圆。随着设备逐步到位，V9 NAND预计将从明年起正式进入量产加速阶段。

半导体业内人士透露，三星原计划在第一季度启动西安X2产线的V9转换，但目前日程已推迟至第二季度。同时，平泽第一园区（P1）也在筹备相关投资。预计明年V9产品在生产中的占比将显著提升。

SK海力士方面也在积极推进先进NAND的产能扩张。公司计划于今年第二季度启动321层第九代NAND的转换投资，目标是在清州M15工厂实现每月约3万片晶圆的V9产能。与目前约2万片晶圆的水平相比，此次扩产幅度显著。

行业观察指出，三星与SK海力士均在为先进NAND需求的持续增长做提前布局。过去两家公司的设备投资几乎全部集中在DRAM，而目前NAND市场也已出现供应紧张的迹象。