近期，TrendForce集邦咨询发布研究报告，全面上修第一季度DRAM与NAND Flash各类产品价格季度涨幅。最新预估显示，整体传统DRAM合约价将从一月公布的季增55%-60%，上调至90%-95%；NAND Flash合约价则从先前预测的33%-38%上修至55%-60%，并且不排除价格仍有进一步上涨的可能。
据了解，自2025年下半年开始，全球DRAM与闪存NAND价格便开启了“超级周期”上涨模式。背后的核心驱动力，主要源于AI服务器对存储产能的巨大需求，叠加存储厂商主动收缩消费级产能、整体库存处于低位，导致市场供需失衡的状况持续加剧。
TrendForce数据显示，2026年第一季度，通用型DRAM合约价环比大涨55%-60%，NAND闪存涨幅也达到33%-38%。内存成本在手机物料清单中的占比，已从原来的10%-15%飙升至20%-30%，部分中低端机型的占比更是高达34%。这使得单台手机的内存成本同比增加了约16美元（增幅约37%），其中中低端机型受到的成本冲击尤为明显，其内存增量成本约占整机均价的6%，这一比例是高端机型的三倍左右。目前，手机厂商的毛利润普遍不足8%，已难以消化这部分成本上涨，只能通过提价、减配或停产旧款机型来应对。小米等品牌的新机已陆续涨价，部分机型的存储版本差价甚至高达900元。可以预见，中低端市场或将迎来一轮新的洗牌。若您计划在2026年更换手机，或许尽早入手是更明智的选择。
