上周DRAM现货价格出现松动，这也是自2025年9月以来的首次回调。
长期承受存储涨价压力的下游厂商，或许能稍微“喘口气”了。
据行业最新报告显示，在连续上涨数月之后，上周DRAM现货价格开始走弱，这也是该价格自去年9月以来首次出现回落。
随着DRAM现货价格持续攀升，多家OEM厂商反映，在低阶PC、智能手机与平板设备中，DRAM成本占比已高于合理水平。通常而言，DRAM成本在终端产品售价中的比例应低于一成，但按当前现货价格计算，部分产品已难以消化相关成本压力。
不过，现货价格与合约价情况不同，一线OEM与普通OEM厂商的成本也不尽相同。
有分析指出，DRAM现货与合约价格仍存在明显落差。一线OEM拿到的DRAM合约价格大致保持在每GB 10至20美元区间，远低于现货市场水平，后续现货价格可能朝合约价格回归。
部分模组厂商也表示，若DDR4或DDR5价格回落至20至30美元区间，无论容量或规格，市场仍具备明显追加采购动能。
目前不宜将这次回调定义为“产业反转”或是“硬着陆”的早期信号，但短期价格波动已开始反映终端成本压力。
回调是短暂的，从机构预期来看，涨价依旧是存储产业的“主旋律”。
行业调研机构今日发布的存储产业调查显示，2026年第一季AI与数据中心需求持续加剧全球存储器供需失衡，原厂议价能力有增无减，全面上修第一季DRAM、NAND Flash各类产品价格环比增幅，预计整体DRAM合约价将从一月初期公布的环比增长五成五至六成，调整为环比上涨九成至九成五，NAND Flash合约价则从环比增长三成三至三成八上调至五成五至六成，并且不排除仍有进一步上调空间。
此外，相关机构已上调存储产业中期展望，将2026年DRAM与NAND平均销售价格预期上调两成以上，并小幅提高存储位元出货量成长假设，同时上修资本支出预估，主要反映HBM扩产，以及晶圆厂土木工程与电力等基础设施建设投资增加。
该机构表示，在AI驱动需求与HBM扩产支撑下，存储产业中期基本面仍偏正向，后续关键仍在于价格修正幅度与终端需求消化速度。其仍看好存储产业具备多年成长周期，但预期2026年第二季至下半年平均售价将趋于稳定，2027年可能出现低于一成的价格回调。
