2026年一季度存储器价格涨幅创历史新高
2月3日，市场研究机构TrendForce集邦咨询发布最新存储产业研究报告。报告显示，受人工智能与数据中心需求持续激增的推动，全球存储市场供需失衡加剧，预计到2026年第一季度，DRAM与NAND Flash的各类产品价格将迎来全面大幅上涨。多个细分品类价格季增幅度可能创下历史新高，且不排除后续价格有进一步上调的可能性。
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报告分析指出，本轮价格上涨的核心驱动力源于需求端呈现爆发式增长。
随着AI推理应用场景的持续扩大，北美及中国的各大云端服务提供商和服务器制造商对于高性能存储器的备货需求十分强劲。同时，PC整机在2025年第四季度的出货量超出预期，进一步加剧了PC DRAM的缺货态势。头部PC制造商的库存水位持续下滑，备货压力显著增加。
在供给端方面，存储原厂更看好DRAM市场的盈利前景，已将部分产线转向DRAM生产，这导致NAND Flash新增产能被压缩，仅能通过制程升级来勉强提升单位产出。短期内的产能瓶颈难以得到缓解，原厂的议价能力显著增强，市场呈现出明显的卖方市场特征。
从具体价格涨幅来看，DRAM类产品成为此轮上涨的主力。
整体标准型DRAM合同价季增幅，已从1月初预估的55%-60%上调至90%-95%；
PC DRAM（混合DDR4及DDR5）价格预计季增105%-110%，涨幅超过一倍，创下历史新高；
服务器DRAM价格季增88%-93%，移动DRAM中LPDDR4X与LPDDR5X的合约价季均增幅也达到88%-93%，均为历年最高水平；
高带宽存储器（HBM）的混合合约价也实现了80%-85%的季度增长。
NAND Flash类产品同样涨幅显著，整体合约价季增幅从33%-38%上调至55%-60%。
值得注意的是，手机制造商的存储器采购谈判进度存在差异。
美系手机客户在2025年底已完成针对2026年Q1的移动DRAM合约价拟定。而中系手机客户则受2025年第四季度合约价刚敲定及农历春节长假影响，相关谈判预计最快需至2月底才会取得实质性进展。
此次存储器价格的大幅上涨，将对终端电子设备的生产成本、供应链备货策略产生显著影响。
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