当地时间1月28日，韩国存储巨头SK海力士发布了2025年全年财报。数据显示，SK海力士2025年营收达到97.15万亿韩元，同比增长47%。

其全年营业利润更是突破47万亿韩元，同比增幅超过一倍。第四季度的表现尤其亮眼，营收环比增长34%，营业利润环比激增68%，营业利润率高达58%。

公司净利润接近43万亿韩元，不仅刷新了自身历史纪录，更是在利润上首次超越了老对手三星电子。业绩公布后，公司股价应声上涨5.13%，市值进一步攀升。

SK海力士2025年营收、营业利润、净利润数据

更令投资者振奋的是，SK海力士宣布将额外派发1万亿韩元股息，并计划回购注销价值约12.2万亿韩元的股票，展现出强劲的现金流实力与回馈股东的坚定决心。

而这一切，都离不开一个关键词：AI内存。

推动SK海力士业绩增长的核心动力，是所谓的高带宽内存（HBM）芯片。公司表示，2025年HBM收入同比增长超过一倍，是创下业绩纪录的关键。随着AI从训练走向推理，对高性能内存的需求持续攀升，SK海力士凭借在HBM3E和HBM4领域的领先地位，成为行业内少数能稳定供货的厂商。

SK海力士企业中心总裁宋贤宗在财报中强调：“我们将强化自身角色，不仅是产品供应商，更是AI时代的核心基础设施合作伙伴。”

SK海力士在2026年CES展上展示HBM4高性能内存芯片

BNK Securities的分析师Lee Min-hee指出：“HBM需求的增长速度超出预期，显著提升了SK海力士的盈利水平。如果该公司本季度业绩再次超越市场共识，将进一步巩固其作为AI投资周期最大受益者的声誉。”

除了HBM，服务器用常规内存解决方案的需求也在第四季度急剧上升。SK海力士已全面量产1c纳米工艺（即第六代10纳米技术）DRAM，并推出高容量服务器模块，进一步巩固在服务器市场的竞争力。

NAND（非易失性存储）业务方面，尽管上半年需求疲软，但随着下半年企业级固态硬盘需求回升，SK海力士全年营收也创下历史新高。公司已完成321层QLC产品的开发，未来将通过技术升级持续提升产品竞争力。

分析师Ray Wang指出：“除了HBM，商品化DRAM今年将成为SK海力士关键的盈利驱动力，这得益于迅速扩大的利润率和结构性供应短缺。”

为应对持续增长的需求，SK海力士正在加快推动产能建设。清州M15X工厂将尽快提升产能，龙仁半导体集群的首座工厂也在规划中，以确保中长期供应能力。

与此同时，SK海力士在韩国清州和美国印第安纳州的先进封装设施建设进展顺利，这将帮助其建立从前端到后端的全球一体化制造能力，更灵活地响应客户需求。

基于强劲的业绩，SK海力士宣布了一项规模可观的股东回报计划：额外派发1万亿韩元股息，加上常规股息，2025财年总股息达2.1万亿韩元。同时，该公司计划注销1530万股库存股，约合12.2万亿韩元，相当于总股本的2.1%。

这一举措被市场解读为公司对未来盈利能力的信心，也进一步推高了股价。有分析师表示：“SK海力士正在通过实际行动提升每股价值，增强股东信任。”

展望2026年，SK海力士预计AI内存需求将持续旺盛，不仅HBM供不应求，服务器DRAM和NAND的整体需求也将增长。该公司计划继续推进HBM4量产，并拓展AI内存产品组合，包括SOCAMM2和GDDR7等新解决方案。

宋贤宗表示：“公司将基于技术优势，保持可持续增长，并在投资、财务稳定和股东回报之间取得平衡。”在AI浪潮中，SK海力士正从一家内存制造商，转型为不可或缺的基础设施伙伴。