海力士 视觉中国 资料图

1月28日，存储芯片制造商海力士发布了截至2025年12月31日的财年及第四季度财务报告。公司全年营收达到97.1467万亿韩元，同比增长近五成；营业利润为47.2063万亿韩元，较上年大增约101%，营业利润率高达49%；净利润录得42.9479万亿韩元，增长超过117%，净利润率达到44%。

海力士此次交出的成绩单远超市此前的历史最高纪录。营收同比增幅超过30万亿韩元，营业利润更实现了翻倍式增长，一举刷新其史上最佳年度业绩表现。

第四季度的表现尤为亮眼，营收为32.8267万亿韩元，环比增长34%，营业利润达到19.1696万亿韩元，环比猛增68%，营业利润率攀升至58%，这三项核心指标均创下历史新高。

作为全球三大存储芯片制造商之一，海力士在向AI存储转型的道路上领先于三星和美光。目前，海力士是全球唯一能同时稳定供应HBM3E和下一代HBM4产品的厂商。

海力士方面表示：“为了应对以AI为核心的市场需求转型，公司将持续加强技术竞争力，扩大高附加值产品的占比，通过兼顾收益性和增长性的战略实现了业绩突破。2025年的优异表现再次验证了公司在全球领先的技术实力。”

海力士披露，在DRAM业务领域，HBM销售额同比增长近一倍，成为其创下历史最佳业绩的核心驱动。在通用DRAM方面，公司已正式量产第六代10纳米级DDR5 DRAM，并成功开发出基于第五代10纳米级的业界最高容量256GB服务器DDR5 RDIMM模块，进一步巩固了其在服务器模块市场的领导地位。

日前，据韩国媒体报道，三星和海力士已完成与苹果的谈判，将大幅上调供应给苹果公司iPhone的低功耗移动DRAM价格。其中，三星报价较前一季度涨幅超过八成，而海力士给出的涨幅则接近100%。

在NAND闪存业务领域，海力士表示，在上半年市场需求疲软的情况下，公司完成了321层QLC产品的研发；下半年则通过积极应对以企业级固态硬盘为主的强劲需求，创造了年度销售额的历史新高。

海力士预计，随着AI市场从训练向推理方向转型，分布式架构的需求将持续扩大，存储设备的重要性也将进一步凸显。不仅是HBM等高性能存储需求看涨，面向服务器的DRAM与NAND闪存等整体需求也将同步提升。

公司指出，去年九月，海力士率先构建HBM4量产后，目前正根据客户要求进行量产准备。公司将通过HBM4产品巩固领先优势，并深化与客户及合作伙伴的协作体系，为“定制化HBM”这一新一代核心竞争要素做好充分准备，提供最优的产品解决方案。

面对当前供需不平衡的状况，海力士表示将优先保障客户需求，致力于深化合作关系。为此，公司将提前实现韩国清州M15X工厂产能最大化，并通过建设韩国龙仁集群的首座工厂，稳步扩充中长期生产基础设施。

同时，海力士也将推进韩国清州P-T工厂和美国印第安纳州先进封装工厂的建设，构建融合前端与后端工艺的全球一体化制造能力，灵活应对客户需求的动态变化。

得益于创纪录的出色业绩，海力士宣布推出一项大规模股东回报政策，旨在提升股东价值。首先，将实施每股1500韩元的额外分红，总规模达1万亿韩元。在此基础上，本季度股息将在此前375韩元每股的基础上叠加额外分红，使每股派发额达到1875韩元。最终，2025财年每股股息总额将达到3000韩元，总回报规模约为2.1万亿韩元。

澎湃新闻记者 周玲