根据台湾媒体《工商时报》的消息，高盛亚洲团队近日发布的DRAM行业研究报告指出，当前内存市场中，DDR4内存的现货价格较合约定价已大幅飙升了172%，而DDR5的现货与合约价差也高达76%。这一巨大落差直观地显示出，合约价格已严重偏离了市场供需的基本面。高盛判断，后续合约价格必将迎来显著补涨。

业内分析师普遍观察到，现货市场的交易更为活跃，对短期行情变化的反应也更为敏锐和精准。此次DDR4与DDR5同步出现巨额价差，根源在于合约定价调整滞后于市场真实的供需变化。这种背离状态显然难以持久，合约价格的回升已成为必然趋势。

供需两端的不平衡，进一步加剧了价格的分化。供应方面，受制于晶圆厂建设与投产周期偏长，2026年内DRAM行业的新增产能力度十分有限，其中DDR4内存领域还将进一步减产，供应收缩的态势相当明确。而需求端却持续保持高涨，伴随着AI基础设施的加速迭代升级，存储单元正从单一服务器向机架系统拓展，这大幅拉动了DRAM内存的整体需求，导致供需缺口持续扩大。

高盛在报告中明确指出，下游终端客户已逐步认可2026年第一季度内存价格大幅上涨的预期，这为后续合约价格上调筑牢了市场基础。此番价差修复及价格上涨，预计将对内存厂商营收、下游电子设备制造成本产生连锁反应，这一趋势值得整个行业密切关注。

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