今年第一季度，三星已将NAND闪存产品的供应价格上调了约一倍，如此剧烈的涨幅远超市场此前预期，凸显出当前半导体领域供需关系的严重失衡。

据了解，三星电子已于去年年底与主要客户完成了下一年度的供货协议商谈，并自今年1月起正式启用新的定价机制。

此番NAND价格调整紧随着DRAM内存价格接近70%的涨幅而来，进一步强化了存储市场整体的涨价态势。目前，三星已启动第二季度NAND价格的新一轮协商工作，业内普遍认为，价格上行趋势短期内难以扭转。

价格上涨的核心动因，在于人工智能基础设施建设对高性能存储部件的强劲拉动。一方面，全球数据中心持续扩容，推动企业级固态硬盘需求快速释放；另一方面，端侧人工智能应用加速落地，促使智能手机、个人电脑等终端设备向更高容量存储配置升级，从而带动存储芯片需求呈现出指数级跃升。

然而，供给端的反应却明显滞后。过去十二个月内，包括三星在内的主流厂商均未实施大规模扩产计划，整体资本开支保持高度谨慎。

虽然各厂商未公开宣布减产，但实际出货增速有限，加之先进制程升级过程中存在产能转换与良率爬坡等因素，导致有效供给能力远不能匹配需求扩张节奏，市场已普遍出现供不应求、有价无货的局面。

存储芯片价格的大幅波动，正日益成为人工智能产业发展的现实制约。随着DRAM与NAND双双大幅提价，人工智能基础设施的部署成本持续抬升。

部分业内人士指出，若存储成本维持高位运行，或将延缓人工智能技术在更广泛场景中的规模化应用与普及进程。