科技媒体Wccftech于1月22日发布文章披露，在2026年日本电子设备展上，英特尔首次公开展示了集成EMIB技术、尺寸达到78mm×77mm的大型玻璃基板原型。
EMIB全称为“嵌入式多芯片互连桥接”，这项技术可以理解为基板内埋藏的“高速立交桥”，专门用于连接基板上相邻的两个小芯片，实现如同在同一芯片内部一样快速的数据传输。
来源：英特尔
为何AI芯片必须向玻璃基板转型？
随着AI芯片尺寸不断逼近光刻机的极限，传统的有机树脂基板面临着严峻的物理瓶颈。有机材料在高温下极易发生热胀冷缩，导致基板翘曲，进而引发芯片连接不良等问题。相比之下，玻璃材料拥有与硅芯片相近的热膨胀系数，受热后尺寸极其稳定。
此外，玻璃表面极为光滑，支持比有机基板更细微的电路刻蚀，是承载下一代超大算力芯片的理想“地基”。
技术规格方面，英特尔此次采用了一个尺寸为78mm x 77mm的大型封装，其面积达到了标准光罩尺寸的2倍。
来源：英特尔
在垂直截面上，该基板运用了“10-2-10”的堆叠架构：以800μm厚的玻璃芯为中心，上下各堆叠10层重布线层，总计20层电路用于处理复杂的AI信号传输。
选用800μm的“厚芯”设计，是为了在数据中心的高压环境下确保超大尺寸封装的机械刚性，防止断裂。同时，该基板实现了45μm的超细微凸点间距，其I/O密度远超传统基板。
英特尔在此次展示的封装中已成功集成了两个EMIB桥接器，验证了玻璃基板在承载复杂多芯片配置时的能力。相比传统有机基板，玻璃基板能提供更精细的互连间距、更好的焦深控制以及更低的机械应力。
业界最关注的焦点在于英特尔明确宣称实现了“No SeWaRe”。SeWaRe是行业隐语，指代玻璃基板在切割与搬运中极易产生的微裂纹，这些隐形伤痕往往会导致封装在热循环测试中彻底碎裂。
英特尔此次的宣示，意味着其已通过特殊的材料改性或加工工艺，彻底解决了玻璃的脆性问题，确保了量产级别的可靠性。
