三星2nm定制HBM裸片：以制程优势突破AI芯片物理极限
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2026年1月21日，韩国媒体消息称，三星电子计划在HBM4之后的新一代定制化高带宽内存产品中，继续贯彻其“制程优势”战略。公司将提供覆盖从4纳米到当前最先进2纳米制程的一系列基础裸片解决方案，旨在全面提升产品性能与能效。
根据该技术构想，内存控制器及定制化逻辑单元将被集成至基础裸片之上。此举主要是为了应对高性能AI加速芯片在扩展算力过程中遇到的物理极限挑战。由于单颗芯片的最大可用面积受限于光刻工艺的掩模版尺寸（约为858平方毫米），进一步提高集成度面临瓶颈。除了采用多芯片互联架构外，将部分运算或控制电路迁移至邻近的HBM基础裸片，成为可行的技术路径之一。
随着HBM技术演进至第四代，基础裸片开始采用先进的逻辑半导体制程制造，使其具备了承载原本由主芯片负责的部分功能的能力。基础裸片所采用的制程越先进，其可集成的逻辑电路规模就越大，运行效率也越高，从而能有效分担主芯片负载，提升系统整体效能。
有知情人士透露，三星此次推出的定制化HBM基础裸片方案，由系统LSI部门新组建的定制SoC团队主导开发，标志着公司在先进封装与异构集成领域的布局进一步深化。
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