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三星电子开发4~2nm定制HBM基础裸片方案,引领先进工艺

时间:2026-01-21 15:31
1 月 21 日消息,韩媒 ZDNET Korea 今日报道称,三星电子将在 HBM4 后的定制 HBM 内存上延续“制程优势”策略,提供从 4nm 直到当前最先进的 2nm 的一系列基础裸片 (

1月21日消息,韩媒ZDNET Korea当日报道称,三星电子将在HBM4之后的定制HBM内存上继续推行“制程优势”策略,提供从4nm到当前最先进的2nm的一系列基础裸片解决方案。

注:台积电则计划为定制HBM基础裸片导入N3P制程。

可选当前最先进工艺:消息称三星电子正开发4~2nm定制HBM基础裸片解决方案

▲ 三星电子代表在IEEE ISSCC 2025会议上的演讲
在设想的方案中内存控制器和定制逻辑单元位于基础裸片上

搭载HBM内存的高阶AI XPU芯片正面临单颗芯片理论最大面积(858mm²的光罩尺寸)限制算力进一步提升的情况,化解这一问题的方式除了多芯片的物理/通信互联外,还包括将部分电路卸载到邻近的HBM基础裸片上。

由于HBM内存进入HBM4后,HBM基础裸片也采用逻辑半导体制程,因此可承载原应由XPU主体担负的电路功能。而HBM基础裸片工艺越先进,其就越能容纳更多逻辑电路、能效表现也越出色。

内部人士表示,三星电子的定制HBM基础裸片解决方案由系统LSI业务新设立的定制SoC团队负责。

来源:https://www.ithome.com/0/915/127.htm
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