美国史上最大内存基地动工：威胁或致芯片100%关税
1月20日消息，美光科技近日正式宣布，其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的大型DRAM内存晶圆厂已破土动工。
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据了解，该项目的总投资规模高达1000亿美元，计划兴建多达四座晶圆厂。项目建成后，这里将成为美国规模最大的半导体制造基地，并为当地创造约5万个就业岗位。
美光表示，纽约晶圆厂将成为全球最先进的存储芯片制造基地之一，旨在满足人工智能、数据中心与高效能运算等领域不断增长的长远需求。
该项目也是美光总额达1000亿美元的美国扩产计划的核心工程，并获得了《芯片与科学法案》的政策支持。
该工厂预计在2030年前后开始投产，并在未来十年内逐步提升产能。美光指出，这项投资将有助于实现其40%以上的DRAM产品在美国本土生产的目标，并强化美国半导体供应链的韧性。
美国商务部长卢特尼克16日出席美光纽约州新厂动土典礼时放话，声称不在美国生产的存储器制造商，可能将面临100%的关税。
根据科技媒体Wccftech分析，这一威胁的首要目标直指韩国三星和SK海力士，至于中国台湾地区的南亚科与华邦电，恐怕也将面临同样麻烦。
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