SK海力士宣布，其位于中国无锡的DRAM晶圆厂已完成制程节点的重大升级，从前代的1z纳米全面过渡到更先进的1a纳米工艺。升级完成后，该工厂的月产能将稳定在18万至19万片12英寸晶圆区间，其中约90%的生产线已完成向1a制程的转换。当前DRAM技术体系内，1z纳米属于第三代10纳米级工艺，而1a纳米则标志着第四代技术的到来，它带来了更高的芯片集成度、更优的能效表现以及更强劲的性能输出。

随着制程的微缩，每片晶圆所能切割出的芯片数量也得到显著增加，这不仅有效提升了产品在市场中的竞争力，也优化了生产效益。这次技术跃迁使得无锡工厂能够制造出性能更强、功耗更低的DRAM产品，进一步巩固了其在全球存储供应链中的核心地位。

无锡工厂是SK海力士全球生产网络中的关键一环，承担着公司约30%至40%的DRAM产能，长期以来都是其主力生产基地，发挥着不可替代的战略作用。此前，由于外部环境变化，市场曾对先进设备获取受限可能带来的影响表示担忧，担心技术升级进程受阻或引发供应波动。从目前情况看，相关风险已通过企业的策略调整得到有效应对。

值得注意的是，1a纳米制程的实现依赖于极紫外光刻（EUV）技术，而此类设备因出口管制规定无法直接引入国内。为解决这一难题，企业创新性地采用了“分段制造”模式：将需要使用EUV的关键工艺环节安排在韩国本土完成，之后将半成品晶圆运送至无锡厂区进行后续加工。尽管这种方式在物流协调与生产管理上增加了额外的复杂性，并可能推高整体成本，但基于无锡基地的长期战略价值，公司仍持续推动着制程迁移计划。

自2006年投入运营以来，SK海力士在无锡工厂的累计投资已达数十万亿韩元，持续强化其制造能力。与此同时，公司在韩国本土正加快向更前沿的1c纳米节点迈进，相关先进产能主要集中于利川的M14与M16工厂。

通过优化区域分工布局，无锡厂区专注于成熟制程的大规模稳定产出，韩国基地则聚焦于高端产品的研发与制造，例如最新型DRAM及高带宽存储器。这一双轨并行的策略，既顺应了国际监管要求，也确保了企业在技术演进路径上的领先优势。