SK海力士无锡DRAM工厂1a纳米制程升级完成

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SK海力士宣布,其位于中国无锡的DRAM晶圆厂已完成制程节点的重大升级,从前代的1z纳米全面过渡到更先进的1a纳米工艺。升级完成后,该工厂的月产能将稳定在18万至19万片12英寸晶圆区间,其中约90%的生产线已完成向1a制程的转换。当前DRAM技术体系内,1z纳米属于第三代10纳米级工艺,而1a纳米则标志着第四代技术的到来,它带来了更高的芯片集成度、更优的能效表现以及更强劲的性能输出。
随着制程的微缩,每片晶圆所能切割出的芯片数量也得到显著增加,这不仅有效提升了产品在市场中的竞争力,也优化了生产效益。这次技术跃迁使得无锡工厂能够制造出性能更强、功耗更低的DRAM产品,进一步巩固了其在全球存储供应链中的核心地位。
无锡工厂是SK海力士全球生产网络中的关键一环,承担着公司约30%至40%的DRAM产能,长期以来都是其主力生产基地,发挥着不可替代的战略作用。此前,由于外部环境变化,市场曾对先进设备获取受限可能带来的影响表示担忧,担心技术升级进程受阻或引发供应波动。从目前情况看,相关风险已通过企业的策略调整得到有效应对。
值得注意的是,1a纳米制程的实现依赖于极紫外光刻(EUV)技术,而此类设备因出口管制规定无法直接引入国内。为解决这一难题,企业创新性地采用了“分段制造”模式:将需要使用EUV的关键工艺环节安排在韩国本土完成,之后将半成品晶圆运送至无锡厂区进行后续加工。尽管这种方式在物流协调与生产管理上增加了额外的复杂性,并可能推高整体成本,但基于无锡基地的长期战略价值,公司仍持续推动着制程迁移计划。
自2006年投入运营以来,SK海力士在无锡工厂的累计投资已达数十万亿韩元,持续强化其制造能力。与此同时,公司在韩国本土正加快向更前沿的1c纳米节点迈进,相关先进产能主要集中于利川的M14与M16工厂。
通过优化区域分工布局,无锡厂区专注于成熟制程的大规模稳定产出,韩国基地则聚焦于高端产品的研发与制造,例如最新型DRAM及高带宽存储器。这一双轨并行的策略,既顺应了国际监管要求,也确保了企业在技术演进路径上的领先优势。
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