1月20日消息，在2026年1月18日美光纽约工厂的奠基仪式上，美国商务部部长霍华德·卢特尼克(Howard Lutnick)释放了一个明确的信号：存储芯片制造商要么选择在美国本土建厂，要么将面临高达100%的惩罚性关税。

继台积电、三星等企业响应“美国制造”号召进行投资后，美国政府此次将矛头明确指向了DRAM（动态随机存取存储器）供应链，意图通过高额关税倒逼全球存储巨头将产能转移至美国。此举可能会进一步推高全球内存价格。

尽管三星电子和SK海力士已在美国布局，但其现有规划恐怕难以规避新制裁。三星此前虽已宣布在美投入半导体前道和后道工序，但目前尚无新建专门用于生产内存芯片的晶圆厂计划。

与此同时，SK海力士近期虽宣布在印第安纳州西拉法叶投资40亿美元，但该项目主要聚焦于2.5D先进封装与研发工作，并未包含DRAM生产线。

目前仅有美光科技一家主要厂商明确致力于在美国本土生产DRAM芯片。若新政落地，这两家韩国巨头将首当其冲，面临极为严峻的经营风险。

这一政策对本已紧张的全球存储市场而言无异于雪上加霜。受人工智能产业爆发式增长的驱动，DRAM价格此前已攀升至历史高位，产能扩张本就面临巨大挑战。

科技媒体Wccftech认为，若美国强行实施100%关税，将导致供应链成本剧增，进而引发存储产品价格进一步失控。对于正处于高速发展期的AI行业而言，核心硬件成本的暴涨可能成为技术普及的“拦路虎”，而最终的成本压力极大概率将转嫁给下游厂商及普通消费者。