1月19日消息,据韩国媒体ETNews于本月14日报道,SK海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂制程升级工作,核心制造工艺已从1z纳米(即第三代10纳米级别)正式迈入1a纳米(第四代10纳米级别)阶段。
该无锡工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能。报道指出,在当前每月约18万至19万片12英寸晶圆的投片规模中,已有接近90%切换为1a纳米制程。不过,由于1a纳米工艺需依赖EUV光刻技术,而相关设备面临进口管制,因此无锡厂生产的1a纳米晶圆需运往韩国,在当地完成部分关键制程步骤。

▲ SK海力士无锡生产基地
SK海力士就ETNews上述报道未予回应,拒绝发表评论。
