SK海力士无锡DRAM晶圆厂制程升级完成
1月19日消息，据韩国媒体ETNews于本月14日报道，SK海力士已顺利完成其位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂制程升级工作，核心制造工艺已从1z纳米（即第三代10纳米级别）正式迈入1a纳米（第四代10纳米级别）阶段。
该无锡工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能。报道指出，在当前每月约18万至19万片12英寸晶圆的投片规模中，已有接近90%切换为1a纳米制程。不过，由于1a纳米工艺需依赖EUV光刻技术，而相关设备面临进口管制，因此无锡厂生产的1a纳米晶圆需运往韩国，在当地完成部分关键制程步骤。
▲ SK海力士无锡生产基地
SK海力士就ETNews上述报道未予回应，拒绝发表评论。
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