1月19日，韩国媒体报道称，SK海力士近期已顺利完成其位于中国江苏无锡的DRAM内存晶圆厂的制程升级。工厂核心生产工艺正式从1z纳米（第三代10纳米级别）过渡到更先进的1a纳米（第四代10纳米级别）。该工厂承担着SK海力士约三分之一的DRAM产能，在当前每月18万至19万片12英寸晶圆的投片规模中，已有约九成采用1a纳米工艺进行制造。
由于1a纳米制程需要依赖EUV光刻技术，而相关设备受到出口管制限制，无锡厂区生产的1a纳米产品需运往韩国完成部分关键工序。这一安排既确保了先进制程产品的持续推进，也兼顾了合规要求。
对于此项报道，SK海力士方面未作公开回应。
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