三星1c nm DRAM内存良率突破至盈亏平衡点
1月17日消息，韩国媒体IT Chosun昨日披露，三星电子第六代10纳米级DRAM制程工艺（即业界所称的1c nm）当前良率已攀升至约60%，正式跨越量产的盈利盈亏平衡点。
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这一进展被视为关键性突破，原因在于三星即将推出的HBM4内存正是基于1c nm DRAM技术打造。DRAM晶粒良率的显著提升，将直接强化三星在HBM4市场的盈利潜力，从而为整体财务表现注入积极动能。
据报导，三星电子在1c nm DRAM项目上调整了此前以良率稳健为先、放缓量产节奏的策略，转而回归更为主动的快速量产路径，旨在更敏捷地响应市场需求变化——此举有望助力其从英伟达等核心客户处争取更多订单份额。
TrendForce集邦咨询早前指出，在HBM规格持续升级及现有HBM3E平台需求强劲的双重驱动下，HBM内存的大规模量产最早或于2026年第一季度末启动，三星电子、SK海力士与美光三大厂商仍拥有充足窗口期，进一步优化产品良率。
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