SK海力士发布5-Bit NAND闪存：提速20倍，高密度存储新突破
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根据市场研究机构1月16日发布的最新消息，在人工智能技术快速发展的推动下，全球主要存储制造商对于NAND闪存的产能扩张普遍持审慎态度，并已开始逐步停止生产MLC等上一代产品。其中，SK海力士已于去年12月发布全新的5-Bit NAND闪存技术。这项技术在数据读取速度上相比传统的PLC闪存实现了高达20倍的飞跃。
该技术基于多站点单元（MSC）NAND架构，通过将每个3D NAND存储单元分割为两个独立部分，在提升数据存储密度的同时，使工作电压降低了约三分之二。结合当日发布的其他信息，SK海力士在5-Bit NAND中还引入了4D 2.0技术，成功突破了传统存储结构在每单元超过4比特（即QLC）后面临的电压状态限制，从而在不牺牲性能与耐久性的前提下，实现了每单元5比特的数据存储能力。
目前，尽管QLC 3D NAND已进入量产阶段，但仍存在读取稳定性不足和使用寿命相对较短等问题。为此，SK海力士采用了单元分割策略，将一个NAND单元拆分为两个独立的站点，每个站点以更低的电压运行，从而兼顾了高密度与高可靠性。此外，该技术可使单颗NAND芯片及固态硬盘的整体存储容量提升25%，为未来高性能存储设备的发展提供了新的解决方案。
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