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单芯片功率破千瓦,数据中心正掀起800V静悄悄革命

时间:2026-01-15 22:58
中信建投认为,随着单颗 AI 芯片功率突破1000W大关,传统的电力架构已逼近物理极限。为了支撑未来 GW 级别的算力需求,数据中心电源正处于从交流向 800V 高压直流(HVDC)彻底转型的临界点

中信建投分析指出,随着单颗AI芯片功耗突破1000W大关,传统的电力架构已逼近物理极限。为了支撑未来GW级别的算力需求,数据中心电源正处于从交流向800V高压直流(HVDC)彻底转型的临界点。这不仅仅是电压等级的提升,更是一场涉及架构重构的供应链革命。

1月15日,中信建投在最新报告中指出,投资者应当关注这场变革中价值量最集中、技术壁垒最高的环节,尤其是能够提供800V电源主机(PSU/HVDC/SST),以及为解决直流灭弧难题而必不可少的固态断路器和第三代半导体(SiC/GaN)等核心增量部件。对于投资者而言,这不仅是技术迭代,更是真金白银的产业红利重新分配。

物理极限逼迫架构重构:从“可乐瓶”到“口红”的瘦身革命

中信建投指出了驱动这场电源革命的根本原动力:算力密度的指数级增长。

随着以英伟达 Blackwell B200 为代表的芯片单体功耗突破1000W,以及未来Rubin架构可能的进一步提升,单机柜功率正在向MW(兆瓦)级迈进。报告分析认为,现有的415V交流供电体系在面对如此恐怖的功率密度时已显得力不从心。

报告引用了极具冲击力的数据对比来阐述升级800V的必要性:在传输500kW级功率时,如果沿用传统的50V电压等级,所需的铜母线直径将达到惊人的56mm,粗细堪比一个可乐瓶,这在寸土寸金的服务器机柜中是完

来源:https://www.163.com/dy/article/KJBK00F105198NMR.html
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