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据外媒Wccftech于当地时间1月11日报道，美光移动与客户端业务部门市场副总裁Christopher Moore近日表示，受晶圆厂建设周期冗长、客户认证流程严苛等多重因素影响，存储芯片供应紧张的局面在2028年之前难有明显缓解。
这一观点与美光当前长期的产能扩张战略高度一致。公开信息显示，美光位于纽约的第一座晶圆厂预计将于2030年正式投产，第二座工厂计划于2033年启用，而第四座工厂则规划在2045年左右建成。与此同时，其爱达荷州首座晶圆厂预计将在2027年启动DRAM量产，第二座爱达荷工厂的投产时间有望早于纽约首厂。
Christopher Moore进一步解释道，新建晶圆厂不仅涵盖厂房建设环节，还需完成严格的客户认证流程，并满足AI客户对先进制程与高良率的苛刻要求，这些都显著拉长整体落地节奏。因此，在全部审批及认证工作完成前，爱达荷工厂难以实现大规模量产，真正具备规模效应的产能释放或将延至2028年之后。
Moore还指出，仅靠新增产线投入，并不足以快速扭转当前存储器短缺局面；另一关键制约在于终端客户对多规格内存模块的差异化需求。例如，当苹果等大客户同步采购8GB、12GB和16GB等不同容量产品时，产线需频繁调整配置，导致设备利用率下降、整体产出效率受限。
AI驱动的需求爆发已成为美光战略重心之一。Moore表示，数据中心与企业级应用市场正加速扩张，其在美光整体存储业务中的营收占比已由原先的30%–35%上升至目前的近50%–60%。据相关报道，美光逐步退出旗下消费级品牌Crucial，也印证了其正将更多资源聚焦于企业级DRAM与高性能SSD领域，以更精准匹配AI场景下的增长需求。
另据相关报告，美光亦提到，随着中国本土存储厂商加速推进DDR5、HBM等先进内存技术的研发与量产，全球范围内的竞争态势虽日趋激烈，但也从客观上倒逼美光持续强化技术研发与制造能力，从而进一步提升客户服务水平并巩固其行业领先地位。
