
存储巨头美光科技近日宣布,将于1月16日下午在美国纽约州正式启动其大型晶圆制造基地的建设工程。这项总投资预计达千亿美元的项目,将成为该州有史以来规模最大的私营企业投资计划。
在完成全面的环境评估及各项审批流程后,项目已顺利做好了前期准备工作,即将进入实质性的施工阶段。新建的制造基地最多将包含四座工厂,旨在打造全球领先的存储半导体生产中心,以应对人工智能等前沿科技领域对高性能存储产品持续增长的需求。
该建设计划最早于2024年10月对外公布,原定于2024年中期开工。但由于环境审查涉及上万页的评估文件,整体进度推迟约一年半。根据当前安排,场地清理工作将于3月31日前完成,随后将展开铁路支线铺设与湿地改造等基础设施建设。
首座工厂预计在2030年实现投产,第二座工厂则计划在三年后投入运营。到2045年第四座工厂建成时,整个项目预计将提供约9000个就业岗位,有力带动区域经济与技术发展。
市场分析数据显示,在2025年第三季度的全球高带宽存储器(HBM)市场中,美光以21%的营收份额位居第三,排在SK海力士(57%)和三星电子(22%)之后。而在更广泛的DRAM市场中,三家企业的份额分别为SK海力士34%、三星电子33%、美光26%。若美光能够如期推进产能扩张并将其市场份额提升至40%,未来则有望超越现有竞争对手,成为全球最大的存储芯片供应商。
