2026年1月4日，据业内消息人士透露，在即将到来的国际消费电子展上，英特尔计划正式发布其代号为Panther Lake的全新处理器。这将是首款基于18A工艺打造的消费级产品。18A工艺作为近年来最为关键的一次制程升级，标志着英特尔在半导体技术上的重要突破。
该工艺首次引入了RibbonFET晶体管架构与PowerVia背部供电技术，不仅有助于显著降低芯片功耗，还能有效提升运行频率，为高性能计算提供更强劲的支持。目前，18A工艺已在位于亚利桑那州的Fab 52工厂实现量产，规划月产能可达4万片晶圆，生产良率也已达到预期目标。
此前在10月的一次工厂开放活动中，相关方展示了Fab 52内部先进的极紫外光刻设备，但关于18A工艺的具体细节仍有不少未公开之处。有分析指出，英特尔可能已将下一代High-NA EUV光刻技术应用于当前产线中，作为其保持技术领先的重要手段。
High-NA EUV是当前EUV光刻系统的升级版本，其数值孔径从0.33提升至0.55，大幅增强了光刻分辨率，能够支持更精细的电路图案化。然而，这项技术的成本极为高昂，单台设备价格高达4亿美元，约合人民币28亿元，较现有EUV设备翻倍不止。
尽管在前几代EUV技术的应用上稍显滞后，英特尔已将High-NA EUV视为扭转局面的关键，并早在数年前就确认成为该设备的首批客户之一。根据公开信息预测，英特尔至少已采购三台High-NA EUV光刻机。另有消息称，其实际数量可能达到六到七台，几乎包揽了供应商近几年的全部产能，投入之大远超同行。
值得注意的是，目前英特尔尚未启动14A工艺的生产线建设，相关技术仍处于研发阶段。然而公司披露数据显示，每个季度已有超过三万片晶圆通过High-NA EUV技术完成制造，相当于每月约一万片的处理能力。这一规模即便对于成熟产线而言也不容小觑，而在研发阶段就投入如此庞大的资源，无疑意味着巨大的资金消耗。
这种做法看似不合常规，因此引发外界猜测：High-NA EUV设备很可能已被秘密用于当前18A工艺的生产环节，只是并未对外公开。此举或意在将先进光刻技术作为隐藏优势，在竞争中出其不意地建立壁垒，从而延长自身在尖端制程领域的领先周期。
