在2025年的国际电子器件会议（IEDM）上，英特尔首次展示了一项基于300毫米硅基氮化镓工艺的氮化镓Chiplet技术。这项技术具备以下几大核心优势：
业内最薄的氮化镓Chiplet，其底层硅衬底厚度仅为19微米。它采用经过完整加工、减薄和单晶化的300毫米硅基氮化镓晶圆，展现出卓越的晶体管理性能与品质因数。
业界首个采用单片集成氮化镓N-MOSHEMT和硅基PMOS工艺的全功能片上CMOS数字电路库，覆盖了反相器、逻辑门、多路复用器、触发器以及环形振荡器等基础电路单元。
TDDB（经时介质击穿）、pBTI（正偏压温度不稳定性）、HTRB（高温反偏）和HCI（热载流子注入）等可靠性测试结果表现优异，充分证明300毫米氮化镓MOSHEMT技术能够满足所需的高可靠性指标。
英特尔认为，这项工作中展示的技术要素表明，300毫米硅基氮化镓技术是一种兼具吸引力与强大功能的Chiplet解决方案，极其适用于高性能、高密度、高能效以及高速/射频电子产品的开发。
引言
随着计算解决方案向更高功率扩展，以应用于图形和服务器平台，以及新兴的5G/6G通信技术持续推动数据速率提升，氮化镓和先进3D封装等半导体技术正发挥着越来越关键的作用。它们在提供超越当前硅基和III-V族技术的更高性能、更高效率、更高集成度和更高密度方面，展现出巨大潜力。
此前，已有专家提出了300毫米硅基氮化镓技术。得益于其卓越的性能指标，以及将低压至48V的氮化镓器件与硅基CMOS集成的能力，该技术已成为高密度、高性能功率和高速/射频电子元件领域极具吸引力的选择。图1展示了氮化镓负载点电源解决方案的潜在发展方向：从分立式主板电压调节器，到采用氮化镓功率芯片的Chiplet集成方案，旨在满足对更高功率密度、更高效率以及更紧凑集成度的市场需求。
