据IT之家1月1日消息，集邦咨询（TrendForce）昨日（2025年12月31日）发布报告称，存储市场正迎来新一轮价格波动。三星已明确表态不会推迟DDR4的停产计划，这一决定直接引爆现货市场，导致DDR4价格涨幅显著超过DDR5。
IT之家附上截止至2025年12月31日的图表如下：
该机构指出，行业巨头三星已经正式表态，坚决不会推迟其DDR4产品的停产计划。这一强硬立场直接打破了市场对供应延续的幻想，因此DDR4的价格涨幅大幅超越了新一代的DDR5。
三星的停产决定将产生深远的连锁反应。市场普遍预测，2026年DDR4的供应量将出现断崖式下跌。这种人为制造的稀缺性，极有可能导致DDR4出现价格倒挂现象，即其每Gb（千兆比特）单价将攀升至最高水平，甚至超过部分先进制程产品。
数据显示，主流芯片（DDR4 1Gx8 3200MT/s）的现货均价已从12月24日当周的22.235美元，强势上涨6.80%至12月30日当周的23.746美元。
NAND Flash市场同样处于上涨通道。受2026年第一季度合约价格看涨的强烈预期驱动，现货价格进一步走高。本周，512Gb TLC晶圆的现货价格大涨13.35%，达到13.055美元。现货贸易商对后续价格走势持极度乐观态度，因此在出货价格上寸步不让，坚决维持高价策略。
然而，NAND市场的实际成交状况却不容乐观。面对处于高位的现货价格，叠加消费端需求的持续疲软，大多数买家目前选择持币观望。此外，随着中国农历春节临近，晶圆厂商即将进入假期模式，进一步削弱了采购意愿。卖方的“惜售”与买方的“嫌贵”形成了鲜明对立，导致市场交易陷入停滞，呈现出典型的僵持局面。
