三星扩建平泽半导体基地，加速AI存储芯片产能
人工智能技术浪潮正持续推动存储半导体产业升温，三星电子加速了其在韩国半导体生产基地的扩建计划。继近期宣布重启平泽园区P5产线建设后，公司目前已进入基础设备采购的招标阶段；与此同时，同样位于平泽的P4工厂也传出了产能扩展的新动态。
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据产业链内部消息透露，三星电子正通过公开竞标方式，为平泽P5工厂采购气体与化学品供应系统设备。这类设备通常在厂房主体结构竣工后才启动采购流程，但此次三星采取了主体施工、设备招标与安装同步进行的并行模式，旨在缩短建设周期，提前实现量产，以快速应对市场上日益增长的DRAM需求。
P5工厂是三星规划在平泽第二园区内的全新生产线，公司已正式决定启动主体工程建设，并初步设定投产目标时间为2028年。然而，受当前内存供应紧张局势持续加剧影响，业内普遍预测，三星可能会进一步提前该产线的实际投产节点。整个P5项目投资规模预计将达到数千亿韩元，甚至可能突破万亿韩元级别。
一位了解三星运营情况的业内资深人士表示：“此次P5项目的推进节奏远超以往。过去气体和化学设备的建设通常滞后于土建工程，而此次明确采取并行作业，显示出管理层希望以最快速度响应市场变动的战略意图。”
与此同时，位于同一园区的P4工厂扩建进度也在加快。该工厂专注于生产10纳米级第六代1c DRAM产品，相关设备的导入及试运行工作较原定计划提前了两到三个月。未来所生产的1c DRAM将作为关键组件，用于下一代HBM4芯片的制造。
尽管扩产动作密集，但由于各项建设工程仍处于实施阶段，短期内难以缓解当前内存市场的供需矛盾。行业分析认为，市场供给状况的实质性改善，最早也要到2026年底，更有可能出现在2027年。
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