SK海力士携手合作伙伴加速HBM4研发与量产
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12月25日，韩国媒体消息称，SK海力士预计将于2025年1月上旬向英伟达交付下一代HBM4 12层堆叠的最终样品。此举意味着该产品的开发工作已进入关键阶段。
在推进HBM4研发的过程中，SK海力士同步开展了系统级封装（SiP）测试，并持续优化整体系统性能。为了加速问题定位与改进，SK海力士、英伟达与台积电三方建立了协作机制，共享包括不良数据在内的技术信息。这一合作模式有力地帮助团队明确了优化方向。
有知情人士透露，经过电路调整的HBM4晶圆预计将在本月底完成流片。若后续环节未出现异常，SK海力士将按计划在2025年1月上旬向英伟达补充提交最终样品。内部评估认为，只要此次流片晶圆的表现达标，此前存在的部分设计修订问题基本可以得到解决。
今年9月，SK海力士已向英伟达交付了首批HBM4客户样品。为配合英伟达紧张的开发节奏，公司当时跳过了常规的产品可靠性评估（PRA）流程，优先完成了送样。但在后续的认证测试中，发现部分样品在完成SiP封装后，存在速度与可靠性方面的不足。尤其是在提升运行频率的过程中，原有的电路布局暴露出结构限制，需要进行重新设计。
为此，SK海力士向英伟达提供了大量样品用于联合调试，并持续推进系统优化。由于问题出现在多芯片集成的封装阶段，三方合作也随之深化。自HBM4项目启动，SK海力士便将基板芯片的制造委托给台积电，正式构建起覆盖设计、制造与封装的协同架构。期间，台积电派遣工程师常驻SK海力士，共同参与基板芯片的开发工作。
据相关人士介绍，初期三方在SiP测试中的数据共享并不充分，即便英伟达提出需求，台积电也未开放全部信息。但近期情况有所改变，台积电已在HBM4生产过程中，针对出现可靠性缺陷的环节，向SK海力士提供数据支持。三方之间的技术沟通正逐步常态化。
目前，SK海力士已查明相关不良现象的根本原因，且产线良率保持稳定，未出现显著波动。公司表示将力争依照既定时间表推进HBM4的量产准备。待修改后的样品于2025年1月上旬提交并完成质量验证，若进展顺利，正式量产有望在2月至3月间启动，为第二季度的产能爬升奠定基础。
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