国内一支科研团队已初步组装出首台极紫外光刻机原型设备，目前正处在封闭测试阶段中。该设备基于对现有商用光刻系统的逆向工程研究构建，计划在2028年开展原型芯片的试生产工作。

据了解，这台EUV光刻机原型已在深圳一处保密测试场地完成集成。设备占地面积较大，几乎占据了整个厂房的可用空间。技术路径上，该原型并未采用国内正在探索的稳态微聚束或放电等离子等技术方案，而是选择了与国际主流一致的激光等离子技术路线，能够产生波长为13.5纳米的极紫外光源。

尽管已经实现了极紫外光的生成，但这台设备目前尚不具备生产可用芯片的能力。主要技术瓶颈集中在光学系统部分，特别是无法实现高精度的光束控制与投影成像，导致无法将极紫外光精确聚焦并投射至晶圆表面以完成电路图案的转移。

研发团队由具备国际企业技术背景的工程师与年轻毕业生共同组成，成员包括曾任职于跨国光刻设备企业的技术专家，覆盖了他们在亚洲、欧洲及北美地区的前同事。这一团队结构体现了技术引进与本土人才培养相结合的发展理念。

目前该设备体积明显大于同类国际商用产品，反映出在系统集成与空间优化方面仍有提升空间。整体而言，项目进展表明其基础原理已取得阶段性验证，但要走向实际量产应用，仍需攻克若干关键技术挑战。