长鑫存储携DRAM双技术突破亮相IEDM
12月6日，素有“微电子领域奥林匹克盛会”之称的国际电子器件大会（IEDM）在美国旧金山拉开帷幕。本届大会上，来自中国高校与科研机构的论文入选数量总计达101篇，展现出不俗的学术实力。其中，北京大学以21篇的入选量，连续五年在全球高校中位居榜首。而在产业界，国内DRAM领域的领军企业长鑫存储同样表现亮眼，其两项突破性技术成果获大会收录，入选论文数量在国内企业中排名第一。
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IEDM 2025：中国半导体力量闪耀全球顶级学术舞台
IEDM创立于1955年，是半导体器件领域享有“奥利匹克盛会”盛誉的国际顶尖学术会议。该会议汇聚了全球学术界与产业界的最新研究成果，议题覆盖CMOS技术、先进存储、传感器、功率器件等关键领域。
IEDM2025的主题是“FET 100年：塑造设备创新的未来”。业界普遍认为，在当今技术迭代加速、AI发展催生海量存储需求的时代背景下，IEDM 2025不仅展现了学术前沿，更成为洞悉未来存储技术演进与产业格局变化的重要窗口。
本届IEDM大会，长鑫存储在3D FeRAM与新型多层堆叠DRAM领域实现了双项突破。长鑫存储首次实现单片集成的堆叠式铁电存储器（3D FeRAM），提出两层水平堆叠的1T1C三维架构，配备双栅极多晶硅选择晶管，展现出优异的性能与耐久性，为低功耗非易失性存储奠定基础。
此外，长鑫存储还展示了全球首个BEOL集成的多层DRAM架构，基于IGZO沟道晶体管完成实验验证，并在优化性能与可靠性方面取得突破，为未来高性能DRAM的发展开辟新路径。
长鑫存储以创新产品定义存储市场新格局
技术研发的积累，正成为驱动产品快速迭代与推动市场持续拓展的核心引擎。当前，长鑫已构建涵盖DDR4、LPDDR4X、DDR5、LPDDR5X的全系列产品矩阵。今年10月，长鑫推出LPDDR5X系列产品，提供12Gb和16Gb两种单颗粒容量，最高速率可达10667Mbps，达到国际主流水平，较上一代LPDDR5提升了66%，同时可以兼容LPDDR5，功耗则比LPDDR5降低了30%。据了解，长鑫正在研发0.58mm超薄LPDDR5X芯片，量产后有望成为全球最薄的LPDDR5X产品。
在标准存储领域，长鑫存储于今年11月正式发布其最新DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，均达到国际领先水平。当前市场基准中，6400 Mbps代表服务器与高端PC的主流性能层级，而8000 Mbps则已迈入国际顶级性能梯队。
在内存容量上，长鑫存储在标准16Gb颗粒之外，重点推出24Gb大容量颗粒，对于大规模数据中心具有显著优势，能在不占用额外物理插槽的前提下，显著提升系统的模型加载能力与多任务处理效率，满足数据中心快速扩容的刚需。
此外，长鑫基于其DDR5产品推出的UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM七大模组，实现了对服务器、工作站到个人电脑的全场景完整覆盖，展现了与国际领先厂商同台竞技的实力。
据美国半导体行业协会（SIA）最新数据，2025年10月全球半导体销售额同比增长33%，达713亿美元，其中DRAM销售额同比飙升90%，行业景气度持续攀升。与此同时，长鑫存储正积极推进上市进程。行业人士指出，亮眼的行业数据为长鑫IPO提供了极具说服力的宏观背景，有望显著增强投资者对其未来成长空间与盈利潜力的预期与信心。
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