铠侠已制定规划，将于2026年启动新一代BiCS10 3D NAND闪存的量产工作，旨在满足大容量企业级固态硬盘的市场需求。此项技术采用多达332层的堆叠架构，并支持高达4.8Gbps的I/O接口速率。其位密度较当前主流的BiCS8产品提升了59%，实现了显著进步。根据公司路线图，承担BiCS10量产任务的将是位于岩手县北上市的Fab 2新建晶圆厂。
此外，公司层面预计将在2025财年末开始投产BiCS9 NAND闪存。该产品立足现有的BiCS5与BiCS8存储阵列，通过应用CBA技术优化外围电路设计，从而有效提升了整体性能。BiCS9的生产将由位于三重县四日市的工厂负责，其产品主要面向智能手机等消费类电子产品市场。
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